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调查的综合因素铜线键合的发生腐蚀的半导体包

研究人员调查线铜线键合的腐蚀现象,尤其是楔债券。

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文摘

“铜线键合有关注金线键由于其成本较低。然而,尽管许多独特的方面和铜线键的性质,铜线键合的腐蚀已成为一个兴趣点,因为它会导致半导体包的失败。当前和未来的趋势和发展小型化和多功能半导体包显示半导体制造商建立良好的线与可靠性高。然而,这一趋势成为重大挑战的腐蚀发生。几项研究在铜线键合的腐蚀;然而,没有相当大的研究在综合因素导致腐蚀。因此,本文着重于研究金属铜线键合的腐蚀现象,尤其是楔债券。本文结合使用一个复杂的问题的解决问题的方法。分析表明,weightage因素,根据工艺参数和流程步骤,扮演特定的角色在促进或阻止腐蚀铜线键合。因此,必须考虑这些因素在设计组装流程步骤和参数来控制腐蚀在半导体包。”

找到开放获取这里的技术论文。2022年出版。

2022期刊引文k·a·哈米德et al。:相依Ser。2169 012016

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