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标签:铜

将铜互联规模多远?
通过劳拉·彼得斯12月- 15,2022 -评论:0

作为主要芯片制造商继续规模finFETs——很快nanosheet晶体管——倾向于音高,最小的金属线最终将成为站不住脚使用铜金属衬套和障碍。接下来会发生什么,当仍有待确定。正在研究有多个选项,每个国家都有自己的权衡。自从IBM介绍了行业c…»阅读更多

铜/ SiO₂混合债券互联
通过技术论文链接- 10,2022 -评论:0

技术论文题为“组织发展铜/ SiO₂混合债券互联可靠性测试”后涂德累斯顿和其他的研究人员。文摘:“这项研究的重点是详细描述混合铜/ SiO 2薄片焊接可靠性测试后互联。混合键(或直接债券互连)是一种微细的首选技术……»阅读更多

调查的综合因素铜线键合的发生腐蚀的半导体包
通过技术论文链接- 01年4月,2022 -评论:0

抽象的“铜线键合有关注金线键由于其成本较低。然而,尽管许多独特的方面和铜线键的性质,铜线键合的腐蚀已成为一个兴趣点,因为它会导致半导体包的失败。当前和未来的趋势和发展小型化和多功能semico……»阅读更多

Flat-surface-assisted和自动调整的抗氧化性能的铜(111)
通过技术论文链接——3月22日,2022 -评论:0

抽象的“氧化可以恶化铜的性质是其使用的关键,尤其是在半导体行业和光电技术的应用。这促使许多研究探索铜氧化和可能的钝化策略。原位观察,例如,表明氧化涉及加强表面:Cu2O增长发生在平面作为一个…»阅读更多

大的变化微小的互联
通过埃德·斯珀林- 4月16日,2020 -评论:1

半导体的基本组件之一,互连,正在彻底改变如下芯片规模7海里。一些最显著的变化发生在最低的金属层。更多和更小的晶体管挤到死,和处理更多的数据和移动开关芯片或跨包,材料用于制造这些互联,届…»阅读更多

DRAM的未来是什么?
通过布来安梅奥- 09年4月,2020 -评论:0

记忆——特别是DRAM——引发了大众的关注,因为它发现自己在关键路径更大的系统的性能。这不是第一次DRAM涉及性能一直是关注的焦点。问题是,不是所有的进展以同样的速度,创造了连续从处理器性能到晶体管设计瓶颈,甚至t…»阅读更多

镀铜技术的新发展为嵌入式电源芯片包的挑战
通过日月光半导体——11月21日,2019 -评论:0

镀铜被广泛用于制造嵌入式包装达到高密度、高速、高性能电子产品。与小孔(TH)以及通过纵横比盲目的增加,一个可靠的电镀技术的发展是非常重要的。在通孔的深度超过200µm,很难填补没有空白通过使用直接咕咕叫……»阅读更多

保持权力与钴和性能
通过Mehul奈克——2019年1月24日——评论:0

芯片设计者需要同时改善“PPAC”:功率、性能和面积/成本(图1)。实现这些改进正变得越来越困难,因为经典摩尔定律扩展放缓。我们所需要的是一个新剧本的行业组成的新材料、新结构,新3 d结构内的芯片,缩减特征几何图形的新方法,和先进的p…»阅读更多

技术简要:电镀的元素
通过林的研究12月- 14,2018 -评论:0

电镀是一种常见的制造过程,适用于一层薄薄的金属到另一个。已经取得了美国一分钱,例如,锌的薄,自1982年以来铜电镀涂层。珠宝和餐具也经常电镀改善视觉外观或提供磨损和耐蚀性。今天,在电子电镀广泛执行…»阅读更多

处理芯片的阻力
通过马克LaPedus- 6月21日,2018 -评论:2

芯片制造商继续规模晶体管在高级节点,但他们正努力保持同样的速度与其他两个开头接触和互联的关键部分。然而,一切都开始改变了。事实上,在10 nm / 7海里,芯片制造商正在引入新的拓扑结构和材料,如钴,承诺提高性能和减少不必要的抵抗……»阅读更多

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