如何有机添加剂导致更快的铜沉积在TH中心而不是开幕式上。
镀铜被广泛用于制造嵌入式包装达到高密度、高速、高性能电子产品。与小孔(TH)以及通过纵横比盲目的增加,一个可靠的电镀技术的发展是非常重要的。在通孔的深度超过200µm,很难填补没有空白使用直流电(DC)电镀。为了克服这个问题,有机添加剂应用导致更快的铜沉积在TH中心而不是开幕式上。此外,交叉形通孔也是发达国家由于其特殊的几何形式,这是有利于铜桥TH中心。摘要交叉形通孔深度为350µm完全由直流电镀在2小时。这种灌装能力发展使嵌入式芯片包装设计更大的灵活性。
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作者:七个作者,都来自先进半导体工程(ASE)有限公司:Yung-Da赵,大卫•Tarng Shiu-Chih Wang An-Tai Wu Allenyl陈,路易斯·陈Chi-Tsung赵
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