技术篇题为“制造的p型2 d单个水晶晶体管阵列Fermi-level-tuned范德瓦耳斯半金属电极”发表,韩国蔚山国家科学技术研究所的研究人员(UNIST),宾夕法尼亚大学基础科学研究所(IBS)旗下和昌原西江大学国立大学。
“高性能p类型的二维(2 d)晶体管是2 d纳电子学的基本。然而,缺乏一个可靠的方法来创建高质量、大规模的p类型2 d半导体和合适的金属化过程是重要的挑战需要解决未来该领域的发展。在这里,我们报告的制造可伸缩p类型2 d单个水晶2 h-mote2晶体管阵列Fermi-level-tuned 1 t的步半金属接触电极。通过将多晶1 t的尘埃22 h变形通过异常晶粒生长,我们制作的4英寸2 h-mote2晶圆与超大型单个水晶域和spatially-controlled单个水晶低温阵列(~ 500°C)。此外,我们证明石印模式和分层技术集成芯片上晶体管的1 t的半金属和半导体2 h。1 t的功函数调制的尘埃2金属电极是通过沉淀3 d (Au)垫,导致接触电阻最小(~ 0.7 kΩ·μm)和接近于零的肖特基势垒高度(~ 14兆电子伏)的连接接口,并导致高开态电流(~ 7.8μA /μm)和开/关流动比率(~ 1052 h-mote)2晶体管”。
找到这里的技术论文。2023年8月出版。
歌,S。尹,。张成泽,s . et al。制造的p型2 d单个水晶晶体管阵列Fermi-level-tuned范德瓦耳斯半金属电极。Nat Commun 4747 (2023)。https://doi.org/10.1038/s41467 - 023 - 40448 - x
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