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标签:肖特基势垒

分子掺杂对单层WS2 fet肖特基势垒高度的控制
通过技术文件链接- 2022年9月7日-评论:0

NIST、Theiss research、海军研究实验室和Nova research的研究人员发表了一篇题为“使用分子掺杂控制单层WS2 fet中的肖特基势垒高度”的新研究论文。摘要:“开发可控地掺杂二维半导体的工艺对于实现下一代电子和光电子器件至关重要。波形的……»阅读更多

为下一代动力半挂车做准备
通过马克LaPedus- 2021年9月16日-评论:0

经过多年的研发，几家供应商正在向基于下一代宽带隙技术的功率半导体和其他产品迈进。这些器件利用了新材料的特性，如氮化铝、金刚石和氧化镓，它们也用于不同的结构，如垂直氮化镓功率器件。但是，虽然很多人……»阅读更多

采用2D半导体的更薄通道
通过凯瑟琳德比郡- 2021年6月21日-评论:0

迁移到未来的节点需要的不仅仅是更小的特性。在3/2nm及更远的工艺上，可能会添加新材料，但具体是哪种新材料，以及何时加入，将取决于全球大学和公司正在进行的材料科学研究的爆发。用场效应晶体管，施加在栅极上的电压在通道中产生电场，使禁带弯曲。»阅读更多

扩展内存计算加速器
通过凯瑟琳德比郡- 2020年3月19日-评论

研究人员正致力于通过限制数据在设备中的移动来提高性能的新架构，但事实证明，这比看起来要困难得多。基于内存的计算的论点现在已经很熟悉了。许多重要的计算工作负载涉及对大型数据集的重复操作。将数据从内存移动到处理单元，然后再移动回来——所谓的…»阅读更多

2D材料的优缺点
通过凯瑟琳德比郡- 2019年2月27日-评论:0

尽管多年来一直有关于硅已达到极限的警告，尤其是在电子迁移受限的前沿工艺节点，但仍没有明显的替代品。硅在集成电路行业长达数十年的主导地位，部分原因在于这种材料的电子特性。锗，砷化镓，和许多其他半导体提供优越的移动性能。»阅读更多

新的BEOL/MOL突破?
通过马克LaPedus- 2017年6月15日-评论

芯片制造商正在推进高级节点晶体管的扩展，但这正变得越来越困难。该行业正在努力保持相同的接触和互连时间表，这代表了在最先进节点上的芯片成本和不必要的阻力的更大一部分。尖端芯片由三部分组成——晶体管、触点和互连。…»阅读更多

为晶体管性能管理寄生
通过凯瑟琳德比郡- 2017年1月30日-意见:3

描述晶体管行为的基本方程依赖于诸如沟道掺杂、栅极氧化物的电容以及源极、漏极和沟道之间的电阻等参数。在IC行业的大部分历史中，这些已经足够了。来自晶体管外部结构的“寄生”或“外部”电阻和电容已经小到足以折现。»阅读更多

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