来自德累斯顿工业大学和其他研究人员的技术论文“可靠性测试后Cu/SiO₂混合键互连的微观结构发展”。
文摘:
“这项研究的重点是杂化Cu/SiO的详细表征2经可靠性测试的晶圆间键合互连。混合键合(或直接键合互连)是一种无微凸点的细间距键合技术。混合键合技术的主要挑战是制备干净的Cu/SiO2表面控制镀铜。采用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了Cu/Cu复合后的界面和可靠性测试后的界面。铜互连(直径4 μm，间距18 μm)由SiO包裹2通过晶圆间键合形成。这些小的切块堆被用于后续的可靠性测试。进行了三种类型的测试:−40°C/125°C下的温度冲击测试(TST)至1000次循环，150°C、300°C和400°C下的等温存储，以及多次键合循环。结果包括对晶粒直径、晶界和互连结构变化的综合估计。所有样品均表现出良好的可靠性，并在所有测试后保持完好。与粘结后的状态相比，TST、150°C储存和多次粘结循环后，晶粒细化。在300°C/400°C(长达6小时)的储存条件下，发现晶粒长大。可靠性测试后，没有发现明显的纹理变化。⟨111⟩方向与其特性⟨115⟩孪生方向是垂直于绑定接口的主导方向。通过可靠性测试，观察到60°孪晶界的迁移。结果表明向附近高角度晶界(hagb, 60°-45°)旋转。”
找到开放获取这里是技术文件．2022年3月出版。
I. Panchenko, L. Wenzel, M. Mueller, C. Rudolph, A. Hanisch和J. M. Wolf，“可靠性测试后Cu/SiO₂混合键互连的微观结构发展”，《IEEE元器件学报》，包装与制造技术，第12卷，no. 1。3, pp. 410-421, 2022年3月，doi: 10.1109/TCPMT.2022.3149788。
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