一篇题为“使用GaSb半导体光放大器和Si的广泛可调谐2微米混合激光器”的新技术论文3.N4光子学集成反射器”由芬兰坦佩雷大学的研究人员发表。
文摘:
“在2-3微米波长范围内发射的可调谐激光器与光子集成平台兼容，对传感应用非常有兴趣。为此，将基于gasb的半导体增益芯片与Si相结合3.N4光子集成电路提供了一个有吸引力的平台。在此，我们利用Si的低损耗特性3.N4并演示了一种混合激光器，该激光器由集成可调谐硅的GaSb增益芯片组成3.N4游标镜子。在室温下，激光器的最大输出功率为15 mW，调谐范围为~ 90 nm (1937-2026 nm)。几种基本硅的低损耗性能3.N4光子集成电路的构建模块也得到了验证。更具体地说，单模波导的传输损耗低至0.15 dB/cm, 90°弯头的损耗为0.008 dB, 50/50 y分支的插入损耗为0.075 dB。”
找到技术纸在这里．2023年出版。
Zia, Nouman, Samu-Pekka Ojanen, Jukka Viheriala, Eero Koivusalo, Joonas Hilska, Heidi Tuorila和Mircea Guina。“使用GaSb半导体光学放大器和si3n4光子集成反射器的广泛可调谐2微米混合激光器。”光学信48岁的没有。5(2023): 1319-1322。
资料来源:坦佩雷大学:(a)广泛可调谐激光器设计的详细原理图，显示RSOA增益芯片和Si3.N4游标镜连同重要的PIC构建块和(b)混合激光器的3D插图。
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