NIST研究人员探索了一种新的改良电荷泵送技术，可以检测到氢原子直径(十亿分之一米)的单个缺陷，并可以指出它们在晶体管中的位置。
摘要
“我们利用一种调频电荷泵浦方法，在高比例Si/SiO中快速方便地测量单个“每周期电荷”2金属氧化物半导体场效应晶体管。这表明在SiO之间的边界上检测和操纵了单个界面陷阱自旋物种2栅极介质和Si衬底(几乎可以肯定是Pb类型中心)。在亚微米器件的演示中，栅极氧化物的登纳德结垢产生了极大的栅极氧化物泄漏电流，消除了电荷泵浦电流和泄漏现象之间的干扰。其结果是能够可靠而容易地测量单个阱电荷泵送，否则由于氧化物泄漏将完全无法实现。这项工作为单自旋物种的检测和操纵提供了一种独特的和现成的途径，它可以作为电流的量化标准，也可以作为开发量子工程技术的潜在有用平台。最后，我们讨论了潜在的物理机制，这些机制涉及到产生每个周期电荷的奇数和偶数整数值的看似矛盾的测量。”
找到NIST的详细记录在这里和这里是技术文件．出版于2022年2月。
J. P. Ashton, M. A. Anders，和J. T. Ryan，“通过调频电荷泵浦检测单个自旋物种”，应用。理论物理。传真120,053504 (2022)https://doi.org/10.1063/5.0081172。
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