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NIST修改和改进用于检测晶体管缺陷的技术


“我们利用一种调频电荷泵浦方法,在高比例Si/SiO2金属氧化物半导体场效应晶体管中快速方便地测量单个“每周期电荷”。这表明,在SiO2栅介电和Si衬底之间的边界上,可以检测和操纵一个单一的界面陷阱自旋物种(几乎可以肯定…»阅读更多

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