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标签:EPFL

周评:设计,低功耗
通过杰西·艾伦- 09年12月,2022 -评论:0

工具、IP设计Codasip推出了一个新组织公司内部支持关键应用程序的开发和商业化技术创新包括安全、功能安全、和AI /毫升。“半导体缩放显示出其局限性,有一个明显的需要新的思维方式。我们将工作与大学、研究机构和战略合作伙伴…»阅读更多

热半导体热管理的趋势
通过凯伦·海曼11月17日,2022 -评论:1

越来越热的挑战,随着行业进入3 d包装和继续大规模数字逻辑,正推动研发的极限。太多的基本物理热困在过于狭小的空间导致实实在在的问题,如消费产品,太热。然而,更糟糕的是权力的丧失和可靠性,因为过热的DRAM不断r……»阅读更多

芯片产业的技术论文摘要:10月18日
通过琳达·克里斯坦森- 10月18日,2022 -评论:0

新的技术论文添加到半导体工程本周的图书馆。(表id = 57 /)»阅读更多

热扫描探针光刻
通过技术论文链接10月- 13,2022 -评论:0

新技术论文题为“边缘接触二硫化钼晶体管制造使用热扫描探针光刻技术”研究人员发表的洛桑联邦理工(EPFL)。“热扫描探针光刻(t-SPL)是一个温和的选择通常使用电子束光刻制造这些设备避免使用电子,这是众所周知的…»阅读更多

基本的芯片架构的变化
通过布莱恩•贝利10月- 13,2022 -评论:5

我们把半导体世界上很多事情是理所当然的,但是,如果一些几十年前决定不再可行或最优?与finFETs我们看见一个小例子,平面晶体管将不再规模。今天,我们正面临着几个更大的破坏,将会有更大的连锁反应。技术通常以线性方式发展。每个步骤提供了增加…»阅读更多

蒸馏四个DAC主题演讲的本质
通过布莱恩•贝利- 7月28日,2022 -评论:0

芯片设计和验证正面临越来越多的挑战。将如何解决,特别是他们的机器学习EDA行业是一个主要的问题,这是一个共同的主题在四个主题演讲者在本月的设计自动化会议。DAC返回为一个生活事件,今年的主题演讲涉及系统的领导人comp……»阅读更多

零偏压基于MoS功率检波器电路2场效应晶体管晶片规模灵活的基质
通过技术论文链接- 08年3月,2022 -评论:0

文摘:“我们证明了设计、制造和表征的圆片规模,零偏压电源探测器基于二维二硫化钼场效应晶体管(fet)。二硫化钼场效应晶体管的制造使用圆片规模过程μm厚8日聚酰亚胺薄膜,这在原则上是柔性衬底上。两个CVD-MoS2表的表演,种植不同的过程和showi……»阅读更多

Label-Free c反应蛋白硅纳米线场效应晶体管传感器阵列与Super-Nernstian后门操作
通过技术论文链接2022年2月- 13(-评论:0

文摘:“我们现在CMOS-compatible双闸门和label-free c反应蛋白(CRP)传感器,基于绝缘体上硅(SOI)硅纳米线阵列。我们利用一个参考减去检测方法和super-Nernstian内部放大的双闸门结构。我们克服了德拜屏蔽带电c反应蛋白的蛋白质在解决方案中使用的抗体片段c…»阅读更多

电力/性能:2月7日
通过杰西·艾伦- 07年2月,2022 -评论:0

停止干涉集成光子学和普渡大学的研究人员联合开发电动光学集成光子学和MEMS isolator-on-a-chip传送光只有一个方向。光学光电隔离器是有用的防止反射的光从其他组件的影响或干扰激光收发器的性能。他们通常c…»阅读更多

电力/性能:6月15日
通过杰西·艾伦- 15,2021 -评论:0

低损耗光子光子集成电路IC EPFL)的研究人员建立了一个超低损耗。团队专注于氮化硅(氮化硅),有数量级的降低光学损失相比,硅。用于低损耗应用,如窄线宽激光、光子延迟线,非线性光子学。在光子集成电路应用材料,他们利用…»阅读更多

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