新技术论文题为“提高稳定二维晶体管通过费米能级与无定形氧化物门调优”从微电子研究所研究员,你维恩,AMO GmbH,伍珀塔尔大学、亚琛工业大学。
文摘
“基于二维半导体的电子设备遭受有限电稳定因为电荷载体来自半导体与缺陷周围的绝缘体。场效应晶体管,结果被困的指控可能会导致大滞后和设备的雪堆,特别是常见的非晶门氧化物(如硅或二氧化铪),阻碍稳定电路的操作。在这里,我们表明,设备稳定性与无定形石墨烯场效应晶体管栅极氧化物可以改进费米能级调优。我们故意调频道的费米能级能量电荷之间的距离最大化运营商渠道和无定形铝栅氧化层中缺陷的乐队。电荷俘获高度敏感的费米能级的能量校准通道与绝缘子缺陷带,因此,我们的方法最大限度地减少电活动边界陷阱的数量而不需要减少绝缘子的陷阱的总数。”
找到开放获取这里的技术论文和IEEE附加那样在这里。2022年6月出版。
Knobloch, T。,Uzlu B。伊拉里奥诺夫陈文贤et al。改善稳定二维晶体管通过费米能级与无定形氧化物门调优。Nat电子(2022)。https://doi.org/10.1038/s41928 - 022 - 00768 - 0
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