新加坡国立大学和新加坡高性能计算研究所的研究人员发表了一篇题为“用于基于内存计算的晶圆级溶液处理二维材料模拟电阻式存储阵列”的新技术论文。
摘要
“实现基于二维半导体的高密度、可靠的电阻随机存取存储器对于下一代信息存储和神经形态计算的发展至关重要。本文报道了溶液处理二维二硫化钼忆阻器阵列的晶圆级集成。的金属氧化物半导体2忆阻器具有优异的耐用性，长记忆保持，低器件变化和高模拟开/关比，具有线性电导更新特性。二维纳米片似乎可以通过薄片间硫空位扩散来调节开关特性，这可以通过薄片尺寸分布来控制。此外，MNIST手写体数字识别表明，MoS2忆阻器的工作精度高达98.02%，证明了其在未来模拟存储器应用中的可行性。最后，通过对二维MoS的堆叠，得到了一个单片三维存储立方体2为在高密度神经形态计算系统中实现双忆阻器铺平了道路。
找到开放获取这里是技术论文。。2022年6月出版。
唐斌，Veluri, H.， Li, Y.等。基于内存计算的晶圆级溶液处理二维材料模拟电阻存储器阵列。学报13,3037(2022)。https://doi.org/10.1038/s41467-022-30519-w
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