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在芯片中使用更多锗以提高能源效率和实现时钟频率


维也纳理工大学、约翰内斯开普勒大学、CEA-LETI和瑞士联邦材料科学与技术实验室的研究人员发表了一篇新的技术论文,题为“具有单片单元素Al接触的Si1−xGex纳米片中的成分依赖电传输”。在这里找到技术文件。2022年9月出版。Abstrac……»阅读更多

基于二维逻辑电路的全晶圆集成(Imec)


Imec的研究人员发表了一篇题为“面向高性能晶体管电路的2D半导体晶圆级集成的挑战”的技术论文。“在生产中引入用于高性能逻辑应用的高规模2d电路预计将在基于硅薄片的cet器件之后实现。在这里,一个关于全面waf所需要求的观点…»阅读更多

新一代晶体管有什么不同


经过近十年的发展和五个主要节点,以及大量的半节点,半导体制造业将开始从finfet过渡到3nm技术节点的全能堆叠纳米片晶体管架构。相对于finfet,纳米片晶体管通过在相同的电路占地面积内增加通道宽度来提供更大的驱动电流。gate-all-aroun……»阅读更多

小功能的高价格


半导体行业对更高数值孔径的推动是由NA和临界尺寸之间的关系驱动的。随着NA的上升,CD下降:λ是波长,k1是过程系数。虽然0.55 NA曝光系统将提高分辨率,但Synopsys的首席工程师Larry Melvin指出,较小的特征总是与一个过程有关,因为……»阅读更多

缩小到2纳米:使用微波进行高效稳定的掺杂


国立台湾大学、康奈尔大学、台积电、巴利亚多利德大学、DSG科技、国立中央大学和国立阳明交大的研究人员刚刚发表了一篇新的技术论文,题为“掺杂磷超过其溶解度极限的纳米硅片微波退火的高效稳定活化”。使用了改良的微波炉…»阅读更多

结构、晶体管、材料的巨大变化


芯片制造商正在为架构、材料以及晶体管和互连等基本结构的根本性变化做准备。最终的结果将是更多的流程步骤,增加每个步骤的复杂性,以及全面上升的成本。在前沿,finfet将在3nm(30埃)节点后的某个地方失去动力。仍在工厂工作的三家铸造厂…»阅读更多

纳米片fet驱动计量和检测的变化


在摩尔定律的世界里,更小的节点导致更大的问题已经成为了一个真理。随着晶圆厂转向纳米片晶体管,由于这些和其他多层结构的深度和不透明性,检测线边缘粗糙度和其他缺陷变得越来越具有挑战性。因此,计量学正在采取更多的混合方法,一些著名的工具正在移动……»阅读更多

新材料为新设备打开大门


将二维材料集成到传统半导体制造工艺中,可能是芯片工业历史上最根本的变化之一。虽然在半导体制造中引入任何新材料都会带来痛苦和痛苦,但过渡金属二硫化物(TMDs)支持各种新的器件概念,包括BEOL晶体管和单…»阅读更多

基于同步s射线衍射的Si/SiGe纳米片GAA结构的无损纳米尺度映射


IBM T.J.沃森研究中心和布鲁克海文国家实验室的研究人员发表了题为“Si/SiGe纳米片器件几何结构中的机械响应映射”的新研究论文。由美国能源部赞助。“下一代纳米电子器件的性能依赖于对组成材料内部应变的精确理解。然而,增加的灵活性……»阅读更多

晶圆级忆阻器阵列的可扩展制造方法


新加坡国立大学和新加坡高性能计算研究所的研究人员发表了题为“用于基于内存计算的晶圆级解决方案处理的2D材料模拟电阻存储器阵列”的新技术论文。基于二维半导体的高密度、可靠的电阻随机存取存储器的实现是二维半导体发展的关键。»阅读更多

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