读了纸在这里。6月17日,2021年出版,电子性质。
二维(2 d)半导体过渡金属dichalcogenides可以用于构建高性能的灵活的电子产品。然而,灵活的场效应晶体管(fet)基于这样的材料通常是用频道制作的长度在微米尺度,没有受益于短沟道二维材料的优势。在这里,我们报告灵活的基于二维半导体纳米场效应晶体管;这些都是捏造的转移化学气象沉积过渡金属dichalcogenides一起从刚性增长基质纳米图案化金属接触,使用聚酰亚胺薄膜,释放后变成了柔性衬底上。基于单层二硫化钼的晶体管(监理)创建通道长度60 nm和开态电流高达470μAμm−1的漏源极电压1 V,这是与灵活的石墨烯和晶体硅场效应晶体管的性能。尽管低导热系数的柔性衬底上,我们发现热扩散通过金属门和接触达到如此高的电流密度是至关重要的。我们还表明,该方法可以用来创建灵活的场效应晶体管基于钼联硒化物(MoSe2)和钨联硒化物(WSe2)。
道,一个。、Vaziri年代。陈,诉等。基于过渡金属dichalcogenides高性能柔性纳米晶体管。Nat电子4,495 - 501 (2021)。https://doi.org/10.1038/s41928 - 021 - 00598 - 6
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