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标签:电子迁移率

未来75年的器件和晶体管
通过劳拉·彼得斯- 2023年2月16日-意见:0

晶体管发明75周年在IEDM上引发了热烈的小组讨论，引发了关于CMOS的未来，III-V和2D材料在未来晶体管中的作用，以及下一个伟大的存储架构将是什么。[1]来自内存、逻辑和研究社区的行业资深人士看到了高na EUV生产、1000层NAND闪存和混合bon…»阅读更多

应变砷化镓纳米线的高电子迁移率
通过技术文件链接- 2021年12月21日-意见:0

摘要:“基于半导体纳米线的晶体管概念有望在纳米尺度的各种平台上实现高性能、低能耗和更好的可集成性。关于纳米线中电子的固有输运特性，只有在核/壳异质结构中才获得了接近块状晶体的相对较高的迁移率值，其中电…»阅读更多

2D材料的优缺点
通过凯瑟琳德比郡- 2019年2月27日-评论:0

尽管多年来一直有关于硅已达到极限的警告，尤其是在电子迁移受限的前沿工艺节点，但仍没有明显的替代品。硅在集成电路行业长达数十年的主导地位，部分原因在于这种材料的电子特性。锗，砷化镓，和许多其他半导体提供优越的移动性能。»阅读更多

重新设计FinFET
通过马克LaPedus- 2014年11月13日-评论:0

半导体工业仍处于[getkc id="185" kc_name="finFET"]时代的早期阶段，但[getkc id="26" kc_name="晶体管"]技术已经在经历巨大的变化。鱼鳍本身也在进行改造。在第一代finfet中，鳍相对较短且呈锥形。在下一波中，鳍预计会变得更高、更薄、更薄。»阅读更多

生产时间:1月14日
通过马克LaPedus- 2014年1月14日-意见:0

MoS2 fet二维材料在研发实验室中获得了很大的发展。二维材料包括石墨烯、氮化硼(BN)和过渡金属二卤属化合物(TMDs)。其中一种TMD，二硒化钼(MoS2)，是未来场效应晶体管(fet)中极具吸引力的材料。MoS2具有非零带隙、原子尺度厚度和原始int等特性。»阅读更多

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