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描绘光刻技术的未来


SPIE高级光刻+图案化(AL+P)研讨会一直是光刻工作者的一次信息丰富的活动,从高级计划来看,AL+P 2023似乎也不例外。在关键的光刻挑战方面取得的进展一直是与会者感兴趣的,并且将有许多及时的演讲来解决当前的重要问题。例如,r…»了解更多

多波束掩模作家是游戏规则的改变者


eBeam Initiative在2022年进行的第11次年度Luminaries调查报告显示,多光束掩模编码器的购买预测强劲,从而推动了EUV和曲线掩模的增长。9月下旬,在与SPIE光掩膜技术会议同时举行的一次活动中,一个专家小组讨论了采用曲线光掩膜的剩余障碍。代表44家公司的行业杰出人士…»了解更多

下一代光掩膜中未解决的问题


与会专家:半导体工程与DNP研究员Naoya Hayashi坐下来讨论光学和EUV光掩膜问题,以及掩膜业务面临的挑战;西门子数字工业软件公司MPC和掩膜缺陷管理总监Peter Buck;Hoya技术战略高级总监Bryan Kasprowicz;以及D2S首席执行官藤村明(Aki Fujimura)。f…»了解更多

3纳米及以上的光掩膜挑战


与会专家:半导体工程与DNP研究员Naoya Hayashi坐下来讨论光学和EUV光掩膜问题,以及掩膜业务面临的挑战;西门子数字工业软件公司MPC和掩膜缺陷管理总监Peter Buck;Hoya技术战略高级总监Bryan Kasprowicz;以及D2S首席执行官藤村明(Aki Fujimura)。f…»了解更多

商业,技术挑战增加的光掩膜


与会专家:半导体工程与DNP研究员Naoya Hayashi坐下来讨论光学和EUV光掩膜问题,以及掩膜业务面临的挑战;西门子数字工业软件公司MPC和掩膜缺陷管理总监Peter Buck;Hoya技术战略高级总监Bryan Kasprowicz;以及D2S首席执行官藤村明(Aki Fujimura)。f…»了解更多

圆片曲线设计的好处


在整个博客系列中,重点是曲线光掩膜的优点、推动因素和挑战。这就引出了D2S首席执行官藤村明(Aki Fujimura)向与会者提出的一个显而易见的问题。如果前沿的掩模商店已经准备好在曲线ILT、多波束掩模编写器和掩模设计链支持的掩模上实现曲线形状,那么我们是否可以拥有曲线目标形状……»了解更多

逆光刻技术:30年从概念到实用,全芯片现实


发表在2021年8月31日的《微/纳米图案、材料和计量学杂志》上。在这里阅读完整的技术论文(开放获取)。在光刻技术中,为了获得最佳的晶圆印刷效果,需要对光学接近和工艺偏差/效应进行校正。纠正这些影响的努力从一个简单的偏差开始,在线端添加一个锤头,以防止线端缩短。T…»了解更多

优化VSB镜头计数曲线蒙版


使用可变形状电子束(VSB)写入器增加的光掩模写入时间已经成为采用逆光刻技术(ILT)的障碍,超出了对热点的有限使用。本视频博客的第二部分深入探讨了这一挑战。在这段5分钟的视频中,Ezequiel Russell介绍了他的公司之间的合作研究……»了解更多

光掩膜生态系统为曲线ILT做好准备了吗?


编写具有曲线形状的掩模所需的时间是采用逆光刻技术(ILT)的主要历史障碍,正如我们关于曲线掩模形状的博客系列的第二部分所讨论的那样。经过多年的发展,多波束掩模写入器开始生产,其特点之一是能够编写曲线掩模而不需要写入时间。»了解更多

曲线ILT在EUV光罩中的应用有多广泛?


正如本博客系列的第一部分所讨论的那样,光罩上的曲线形状可以改善工艺窗口。我们的博客系列将继续进行视频小组讨论,讨论曲线形状对EUV光罩(掩模)的好处,以及曲线形状是否会超出目前对热点的使用。我们的小组成员探讨了曲线ILT的问题。»了解更多

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