可变形状电子束(VSB)掩模写入器将被用于写入曲线形状吗?
使用可变形状电子束(VSB)写入器增加的掩模写入时间一直是反光刻技术(ILT)采用的障碍，而不仅仅局限于热点的使用。的第二部分这篇视频博客深入探讨了这一挑战。在这个五分钟的讨论会上视频Ezequiel Russell与业界名人一起介绍了他的公司美光科技和D2S之间的合作研究，以优化曲线掩模的VSB镜头数。
联合研究的目的是找到最有效的方法来减少曲线掩模的VSB写入时间，同时又不失去改善晶圆性能的曲线效益。盲目地优化VSB掩模写入次数(写入时间的代理)不会带来相同的晶圆性能收益。联合研究的建议是使用掩模和晶圆模拟(MWCO)与ILT算法共同优化射球数减少。结果是最好的写入时间和晶圆性能。查看图1左侧的柱状图，曲线形状的常规拍摄次数在左侧的柱状图中激增。在第三个柱状图中，MWCO的射次数仅略高于美光的记录平面OPC解决方案，但晶圆性能要优越得多。事实上，MWCO的晶圆性能可与多束写入器上的全曲线ILT解决方案相媲美。然而，MWCO不适合EUV掩模，因为更大的几何计数和需要更高的能量来暴露较慢的电阻以达到所需的精度。
图1:曲线掩模的VSB镜头数优化研究结果。
MWCO解决方案依赖于VSB掩模写入器具有写入重叠镜头的能力。NuFlare Technology的Noriaki Nakayamada证实，他们的VSB机器有一个功能，可以毫无困难地编写重叠镜头。他警告说，要实现MWCO所提出的结果，需要掩模车间和晶圆厂之间的复杂合作。台积电的Danping Peng看到了MWCO工作的价值，因为许多客户仍在使用VSB掩模编写器。在他看来，使用多波束掩模写入器来编写曲线掩模会更容易，但确实需要投资新的掩模写入器。
要了解更多关于MWCO的主题，您可以阅读关于协作研究的整篇论文在这里．您可以在SPIE先进光刻技术上观看eBeam倡议虚拟活动的完整90分钟小组讨论在这里．
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