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高NA EUVL薄阻的计量


高数值孔径极紫外光刻(high NA EUVL)的诸多限制之一与阻光剂厚度有关。事实上,从当前的0.33NA转移到0.55NA(高NA)的后果之一是焦点深度(DOF)的降低。此外,当抗蚀剂特征线缩小到8纳米半间距时,必须限制纵横比以避免图案崩溃。T…»阅读更多

纳米片fet驱动计量和检测的变化


在摩尔定律的世界里,更小的节点导致更大的问题已经成为了一个真理。随着晶圆厂转向纳米片晶体管,由于这些和其他多层结构的深度和不透明性,检测线边缘粗糙度和其他缺陷变得越来越具有挑战性。因此,计量学正在采取更多的混合方法,一些著名的工具正在移动……»阅读更多

电子束在检测集成电路缺陷中的作用越来越大


不断向更小的功能迈进,再加上对更长的芯片寿命的更高可靠性的需求不断增长,已经将检测从一项相对晦涩但必要的技术提升到晶圆厂和封装厂最关键的工具之一。多年来,检测一直被视为电子束和光学显微镜之间的战争。然而,越来越多的其他类型的督察…»阅读更多

新型电子束检测和监测技术


在本文中,我们报告了一种先进的电子束缺陷检测工具(eProbe®250)和由PDF Solutions构建并部署到4nm FinFET技术节点的Design-for-Inspection™(DFI)系统。该工具具有非常高的吞吐量,允许在最先进的技术节点中在线检测纳米级缺陷。我们还提出了eProbe应用程序…»阅读更多

掩模与计量技术趋势


位于法国格勒诺布尔的Aselta Nanographics公司生产基于电子束技术的IC制造晶圆和掩模图形软件,以及用于扫描电子显微镜的先进计量解决方案,最近成为ESD联盟成员。除了令人印象深刻的证书,Aselta是CEA-Leti的衍生产品,电子和信息技术研究机构…»阅读更多

汽车芯片制造商将价格降至10ppb


如果汽车制造商每年只筛选100万件零部件,工程师如何向他们交付10亿分之10的缺陷部件?答:通过理解故障机制并主动筛选它们。现代汽车包含近1000个集成电路,必须在汽车的寿命(15年)内运行。这使得对质量的期望越来越高。虽然10 Dppm曾经是一个可靠的基准,但……»阅读更多

推动EUV掩模修复的极限:使用下一代电子束掩模修复工具解决10纳米以下的缺陷


“掩模修复是极紫外(EUV)掩模制造过程中必不可少的一步。它的主要挑战是不断提高分辨率和控制,以沿着EUV路线图修复掩模上不断缩小的特征尺寸。最先进的掩模修复方法是气体辅助电子束(电子束)光刻,也称为聚焦电子束。»阅读更多

为高na EUV做准备


半导体行业正在全速发展高na EUV,但提出这种下一代光刻系统和相关基础设施仍然是一项艰巨而昂贵的任务。阿斯麦公司开发其高数值孔径(高na) EUV光刻线已有一段时间了。基本上,高na EUV扫描仪是当今EUV光刻系统的后续…»阅读更多

优化曲线遮罩的VSB射击数


使用可变形状电子束(VSB)写入器增加的掩模写入时间一直是反光刻技术(ILT)采用的障碍,而不仅仅局限于热点的使用。本视频博客的第二部分深入探讨了这一挑战。在这个五分钟的面板视频与行业名人,Ezequiel Russell描述了他的公司之间的合作研究…»阅读更多

多级监控芯片


在使用复杂集成电路的系统中,监控是优化良率、性能和正常运行时间的重要趋势,但并非所有的监控都是相同的。事实上,有多个级别的监视器。在许多情况下,当出现问题时,它们可以一起使用来帮助解决问题。它们还可以用于帮助识别供应链中谁拥有修复程序。“如果系统……»阅读更多

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