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标签:残留边带

业务、技术挑战增加光掩模
通过马克LaPedus12月- 16,2021 -评论:0

专家们表:半导体工程坐下来讨论光学和EUV光掩模问题,以及面具业务所面临的挑战,与直Hayashi DNP研究员;彼得•巴克MPC &掩模缺陷管理主任西门子数字行业软件;资深的技术战略总监布莱恩Kasprowicz球兰;和阿基》d2的首席执行官。f…»阅读更多

准备High-NA EUV
通过马克LaPedus10月- 21,2021 -评论:2

半导体行业正在开发high-NA EUV全速前进,但抚养下一代光刻系统和相关基础设施仍然是一个巨大的和昂贵的任务。ASML发展其大数值孔径(high-NA) EUV光刻线有一段时间了。基本上,high-NA EUV扫描仪是今天的EUV光刻系统的后续……»阅读更多

优化VSB射杀数曲线面具
通过简•威利斯8月19日,2021 -评论:0

增加光掩模写时间使用variable-shape电子束(VSB)作家一直是逆光刻技术的采用障碍(ILT)热点超越有限的使用情况。这个视频博客的第二部分看着挑战深度。在这五分钟的小组视频行业名人,Ezequiel罗素形容他的公司之间的协作研究……»阅读更多

追求曲线光掩模
通过马克LaPedus——4月15日,2021 -评论:1

半导体产业上取得明显进展高级曲线光掩模的发展,对芯片设计技术,有着广泛的含义在最先进的节点和能力制造这些芯片更快、更便宜。现在的问题是,当将该技术超越niche-oriented地位,加大进入量产阶段。因为你们…»阅读更多

先进制造和保护面具
通过马克LaPedus- 2019年11月27日-评论:0

半导体工程坐下来讨论光刻和布莱恩Kasprowicz光掩模的趋势,技术总监和策略和一个杰出的成员在光电池的技术人员;托马斯•Scheruebl蔡司战略业务发展和产品战略主管;资深技术专家平Nakayamada NuFlare;和阿基》d2的首席执行官。符合什么……»阅读更多

与EUV掩模制造问题
通过马克LaPedus- 10月17日,2019 -评论:0

半导体工程坐下来讨论光刻和布莱恩Kasprowicz光掩模的趋势,技术总监和策略和一个杰出的成员在光电池的技术人员;托马斯•Scheruebl蔡司战略业务发展和产品战略主管;资深技术专家平Nakayamada NuFlare;和阿基》d2的首席执行官。符合什么……»阅读更多

大的变化模式
通过埃德·斯珀林2017年2月- 22(-评论:0

首席执行官阿基》[getentity id = " 22864 "评论=“d2”],坐下来与半导体工程在10纳米,下面讨论模式问题,包括面具对齐,GPU加速的需要,EUV的未来影响的面具,总数和脊髓的曲线形状将意味着设计。SE:模式问题是得到很多关注10 nm和7 n…»阅读更多

2017:制造业和市场
通过布莱恩•贝利2017年1月- 12 -评论:0

而行业正忙着谈论摩尔定律的终结和半导体行业的成熟,许多公司的最高思想的。放缓的一个领域是一个机会,在另一个,是反映在今年的预测。在前几年,半导体工程将回顾这些预测在今年年底看到……»阅读更多

多波束市场升温
通过马克LaPedus——3月17日,2016 -评论:3

多波束电子束面具作家业务正在升温,随着英特尔和NuFlare分别进入新兴市场。在一个惊人的举动,[getentity id = " 22846 " e_name =“英特尔”)收购IMS奈米制造的过程中,一个[gettech id = " 31058 " t_name = "多波束电子束"]设备供应商。,另外,电子束巨头NuFlare最近披露其新多波束面具作家t…»阅读更多

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