图案性能很大程度上取决于抗蚀剂/底层附着力。通过适当的抗蚀剂/底层附着力，可以实现28纳米间距打印，焦点深度大于300纳米，无缺陷线宽粗糙度约2.2 nm。
光刻胶指标，如分辨率、粗糙度、CD均匀性和整体工艺窗口，往往旨在实现EUV光刻的全部潜力。从材料供应商的角度来看，可以通过优化抗阻力下使用的功能材料来实现对上述指标的改进。底层可以通过向图案特征提供适当的粘合力，平衡图案崩溃的趋势，提高抗蚀剂/衬底的兼容性来显著提高抗蚀剂性能。在这项研究中，我们介绍了玻璃自旋(SOG)衬底，该衬底可以通过不同的机制提供粘附性，包括共价键、氢键和范德华力。对底层进行了深入表征，以了解其涂层质量、抗附着力和表面能。通过在目标间距为30 nm和28 nm的sog上直接应用化学放大抗蚀剂(CARs)来评估EUV光刻性能。光刻评价表明，模版性能很大程度上依赖于抗蚀剂/底层附着力。通过适当调整抗蚀剂/底层粘附，我们可以实现28 nm间距打印，无缺陷的焦点深度大于300 nm，无偏差的线宽粗糙度约2.2 nm。同时还对SOGs的等离子腐蚀速率进行了评估，以评估其模式转移性能。
作者:梁一晨，1Kelsey E. Brakensiek，1乔伊斯·洛斯1安德里亚·m·查科，1Ruimeng张1维尔·范·德雷斯切，1枭龙朗,1Jaishankar Kasthuri,1明罗,1道格拉斯·j·格雷罗1
1布鲁尔科学有限公司(美国)
论文集第12055卷，图案材料和工艺的进展XXXIX;120550A (2022) https://doi.org/10.1117/12.2610985
活动:SPIE先进光刻+图案，2022，圣何塞，加州，美国
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