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标签:化学放大抗拒

实现Sub-30-Pitch EUV光刻技术的应用程序功能的自旋对玻璃
通过布鲁尔科学- 10月19日,2022 -评论:0

光致抗蚀剂指标如决议、粗糙度、CD一致性,和总体流程窗口通常旨在实现全部潜能的EUV光刻。从材料供应商的角度,改善上述指标可以通过优化功能材料在抗拒。通过提供底层可以显著提高抵抗性能……»阅读更多

Nanosheet场效应晶体管驱动计量和检验的变化
通过凯伦·海曼- 09年8月,2022 -评论:0

在摩尔定律的世界里,它已成为一个不争的事实,较小的节点会导致更大的问题。随着晶圆厂转向nanosheet晶体管,它正变得越来越有挑战性检测直线边缘粗糙度和其他缺陷由于这些和其他多层结构的深度和混浊。因此,计量更大的混合方法,与一些著名的工具移动……»阅读更多

High-NA EUV可能比看起来更亲密
通过凯瑟琳德比郡- 6月16日,2022 -评论:1

High-NA EUV有望使扩展到埃水平,为芯片与更高的晶体管数量和一个全新的工具,材料,和系统架构。在最近有先进光刻技术会议上,马克·菲利普斯光刻硬件和应用解决方案的主管英特尔,重申公司的打算部署技术在高…»阅读更多

集成电路制造的材料和过程的变化
通过埃德·斯珀林和劳拉·彼得斯- 4月21日,2022 -评论:3

罗摩Puligadda,首席技术官在布鲁尔科学,坐下来与半导体工程讨论广泛的半导体制造业的变化,包装,和材料,以及如何影响可靠性,整个供应链流程和设备。SE:牺牲材料扮演着什么样的角色在半导体制造,并在新流程节点是如何改变?Puliga……»阅读更多

更快的收益率坡道策略5 nm芯片
通过劳拉·彼得斯4月- 12,2022 -评论:0

主要芯片制造商台积电和三星在高容量生产5纳米设备生产和台积电它正在稳步推进计划年底前前3纳米硅。但以满足这种积极的目标,工程师必须确定缺陷和斜坡产生的速度比以前更快了。对付EUV随机缺陷——无重复模式的缺陷,如微桥断了线,或失踪……»阅读更多

准备High-NA EUV
通过马克LaPedus10月- 21,2021 -评论:2

半导体行业正在开发high-NA EUV全速前进,但抚养下一代光刻系统和相关基础设施仍然是一个巨大的和昂贵的任务。ASML发展其大数值孔径(high-NA) EUV光刻线有一段时间了。基本上,high-NA EUV扫描仪是今天的EUV光刻系统的后续……»阅读更多

发现,预测EUV随机缺陷
通过马克LaPedus- 6月17日,2021 -评论:0

一些厂商推出下一代检验系统和软件,定位有问题的芯片缺陷引起的在极端紫外线(EUV)光刻过程。每个缺陷检测技术包括各种权衡。但必须使用一个或多个他们的工厂。最终,这些所谓的stochastic-induced缺陷引起的EUV可以影响性能…»阅读更多

为什么新的光刻胶技术是至关重要的
通过富有智慧的- 3月18日,2021 -评论:0

随着芯片制造商转向先进技术节点,他们面临的挑战是解决更好的特性。的一个主要障碍包括材料用于芯片设计转移到晶圆。准确地传输材料迅速达到了极限设计。让下一代设备扩展,引入了一个突破性技术:干燥的抵制。为了更好的现代人理解……»阅读更多

寻找EUV缺陷
通过马克LaPedus——4月19日,2018 -评论:1

芯片制造商希望插入极端紫外线(EUV)在7海里和/或5纳米光刻技术,但一些挑战需要解决在此之前oft-delayed技术可用于生产。越来越令人担忧的一个挥之不去的问题是如何找到缺陷引起的[gettech id = " 31045 "评论=“EUV”)的过程。这些过程可以导致随机变化,也称为随机效应……»阅读更多

内部EUV抗拒
通过马克LaPedus11月17日,2016 -评论:3

首席执行官安德鲁•格伦维尔抵制制造商Inpria,坐下来与半导体工程谈论多亏极端紫外线光刻技术(EUV)。以下是摘录的谈话。SE:光阻光刻的关键部分。抗拒是感光材料。它们形成表面暴露在光模式。对EUV,他们是至关重要的。世界卫生大会……»阅读更多

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