实现Sub-30-Pitch EUV光刻技术的应用程序功能的自旋对玻璃


光致抗蚀剂指标如决议、粗糙度、CD一致性,和总体流程窗口通常旨在实现全部潜能的EUV光刻。从材料供应商的角度,改善上述指标可以通过优化功能材料在抗拒。通过提供底层可以显著提高抵抗性能……»阅读更多

光刻的化学工作:Marangoni-Effect-Based单层增强整平


在半导体制造领域,仍有持续的搜索技术来提高临界尺寸均匀性(CDU)晶片。基民盟改善和减少一般有缺陷增加工业产量和保证高可靠性标准。在KrF Dual-Damascene模块集成,在光刻层面,深沟整平是强制性的……»阅读更多

马朗戈尼有效,在一个双波纹Via-First方法


的主要挑战之一双波纹(DD) via-first过程的控制临界尺寸(CDs)光刻的战壕。光致抗蚀剂(PhR)厚度呈现变化通过数组的开放区域,导致CDs的变化:摆动的效果。DD via-first的整平过程报告。一个双层的解决方案用于发展……»阅读更多

下层EUV光刻技术的优化方法


光刻胶和下层结合为核心作用的EUVL模式。层将在未来非常薄,因为高数值孔径(NA)和紧球需要很薄层光刻堆栈。这个瘦会让photoresist-underlayer化学交互界面更加普遍。这些层之间的附着力会克服的关键模式c…»阅读更多

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