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白皮书

化学工作的光刻:马兰戈尼效应为增强平面化的单层

改善晶圆片上的临界尺寸均匀性(CDU)。

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在半导体制造领域,人们仍在不断寻找提高晶圆临界尺寸均匀性(CDU)的技术。CDU的改进和一般缺陷的减少提高了工业良率,保证了高可靠性标准。在KrF双大马士革模块集成中,在光刻水平上,深沟槽平整化是强制性的,以最大限度地减少光刻胶的干扰模式,即摆动曲线效应。摆动曲线模型解释了为什么光敏材料薄膜厚度的微小变化会产生较大的临界尺寸变化。不同的方法已经发展来改善CDU,如蚀刻回方法和部分通过填充。在为提高性能而研究的大量材料中,基于马兰戈尼效应的衬底现在正显示出它们的潜力。在过去,对由一种基于马兰戈尼效应的材料和一种标准底层组成的双层溶液进行了广泛的测试,并取得了成功。尽管如此,双层纺丝在制造层面带来了缺点,增加了成本,限制了工具的产量。通过利用马兰戈尼效应对材料进行化学调整,产生了一种新的解决方案,从而合成了一种新的单层平面化材料,其性能与先前测试的双层方法相似。这种先进的材料为解决该模块集成的典型问题开辟了一种替代的、具有成本效益的方法。

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作者:
意法STMicroelectronics(意大利)- Valentina Dall 'Asta, Emma Litterio, Nicoletta Corneo, Eusebio Barozzi, Tito F. Bellunato
“G。纳塔”,米兰理工大学(意大利)-瓦伦蒂娜·达尔阿斯塔,Chiara Bertarelli,
Brewer Science, Inc.(美国)- Jakub Koza, Jonathan Jeauneau,



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