极地和色散元件的表面能可以用来实现最佳的光刻性能。
光刻胶和下层结合为核心作用的EUVL模式。层将在未来非常薄,因为高数值孔径(NA)和紧球需要很薄层光刻堆栈。这个瘦会让photoresist-underlayer化学交互界面更加普遍。这些层之间的附着力会克服模式崩溃在高纵横比的关键而同时界面效应的影响,如混合光刻性能必须最小化。细数之间必须找到平衡化学相互作用,这是一个复杂的运动与许多未知参数。在本文中,我们目前极地和色散组件表面的能量可以用来优化EUV下层以达到最佳的光刻性能。
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