期待相比

通过凯瑟琳德比郡2023年2月- 16(-评论:0

今年的前夕有先进光刻+模式会议上,我看了看IEEE设备和系统路线图的光刻技术部分。尤其引人注目的EUV光刻技术的出现,已迅速成为先进逻辑的关键。High-NA工具以支持更小的尺寸。不过,在近期的关键挑战不是……»阅读更多

下层EUV光刻技术的优化方法

通过布鲁尔科学- 7月21日,2021 -评论:0

光刻胶和下层结合为核心作用的EUVL模式。层将在未来非常薄,因为高数值孔径(NA)和紧球需要很薄层光刻堆栈。这个瘦会让photoresist-underlayer化学交互界面更加普遍。这些层之间的附着力会克服的关键模式c…»阅读更多

通过马克LaPedus3月- 20,2017 -评论:4

芯片制造商增加16 nm / 14 nm finFET过程,与10 nm和7海里现在进入早期生产。但在10纳米,芯片制造商正面临着一系列新的问题。而萎缩的特征尺寸的设备到10纳米,7海里,5海里,也许除了使用当前和未来可能的工厂设备,似乎没有一个简单的方法来解决边缘位置误差(EPE)…»阅读更多