标签:光致抗蚀剂

生态系统进化的EUV反映2023先进光刻+模式
通过哈里·莱文森3月- 16,2023 -评论:0

正如预期的那样,今年的先进光刻+模式研讨会是一个非常有益的活动,有许多有趣的报纸被呈现在范围广泛的学科。许多文章主题相关前沿的光刻技术,这意味着EUV光刻。与EUV光刻牢固确立在高容量生产(HVM),我们可以看到在表示……»阅读更多

测量3 d侧壁地形& l对光刻胶使用Tip-Tilting AFM技术模式
通过技术论文链接2月19日,2023 -评论:0

新技术论文题为“提高光刻胶的3 d井壁测量精度与tip-tilting使用原子力显微镜技术”日本国家计量研究院的研究人员(NMIJ)和国家先进工业科学技术(巨大)。“我们已经开发出一种技术,使用原子测量井壁的抵抗模式……»阅读更多

国际设备和系统路线图光刻技术路线图
通过技术论文链接11月19日,2021 -评论:0

文摘:“背景:计划提高半导体芯片的性能历史上推动改善光刻这预计将继续在未来。国际设备和系统路线图可以帮助行业路线图规划未来。目的:2021年的光刻技术路线图显示了需求,可能的选项,和挑战未来15年。脸上……»阅读更多

表面硅Hardmasks自适应吗?
通过布鲁尔科学9月- 15,2021 -评论:0

硅hardmask (Si-HM)材料在光刻过程中扮演至关重要的角色转移模式所需的基质。此外,这些材料使反射率等光学性能的调优和光学光刻分布更好。Si-HM材料还需要具备良好的兼容性与光阻前后光学曝光,在…»阅读更多

马朗戈尼有效,在一个双波纹Via-First方法
通过布鲁尔科学8月19日,2021 -评论:0

的主要挑战之一双波纹(DD) via-first过程的控制临界尺寸(CDs)光刻的战壕。光致抗蚀剂(PhR)厚度呈现变化通过数组的开放区域,导致CDs的变化:摆动的效果。DD via-first的整平过程报告。一个双层的解决方案用于发展……»阅读更多

下层EUV光刻技术的优化方法
通过布鲁尔科学- 7月21日,2021 -评论:0

光刻胶和下层结合为核心作用的EUVL模式。层将在未来非常薄,因为高数值孔径(NA)和紧球需要很薄层光刻堆栈。这个瘦会让photoresist-underlayer化学交互界面更加普遍。这些层之间的附着力会克服的关键模式c…»阅读更多

强劲的增长前景和强劲的半导体材料
通过Inna Skvortsova——5月20日,2021 -评论:0

2020年一年,在人类历史上以及半导体行业。这是一年的业务和个人COVID-19造成的中断,供应链中断和异常敏捷的行业应对新标准实施的大流行。然而,这是非凡的一年半导体行业的增长,包括半导体马……»阅读更多

为什么新的光刻胶技术是至关重要的
通过富有智慧的- 3月18日,2021 -评论:0

随着芯片制造商转向先进技术节点,他们面临的挑战是解决更好的特性。的一个主要障碍包括材料用于芯片设计转移到晶圆。准确地传输材料迅速达到了极限设计。让下一代设备扩展,引入了一个突破性技术:干燥的抵制。为了更好的现代人理解……»阅读更多

半导体的化学
通过埃德·斯珀林——5月21日,2020 -评论:0

在每一个新的流程节点,芯片制造的化学已成为更复杂的比之前的节点。但在5 nm和下面,它会得到数量级的更加复杂。第一几十年的化学芯片主要是屏蔽的观点对于大多数行业。腐蚀性气体相对好理解,因为他们是一个潜在的健康危害,但是……»阅读更多

改善EUV流程效率
通过马克LaPedus——3月19日,2020 -评论:2

半导体产业是反思极端紫外线(EUV)光刻制造流程为了改善工厂的整个过程和减少浪费。供应商目前正在开发新的和潜在的突破工厂的材料和设备。这些技术仍在研发和尚未被证实。但如果他们按计划工作,他们可以提高弗洛……»阅读更多

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