了解Si-HM材料的自适应能力将极大地促进更好的衬底材料的开发，以改进光刻技术。
硅硬掩模(Si-HM)材料在光刻工艺中发挥着将图案转移到所需基底上的关键作用。此外，这些材料允许光学性质的调整，如反射率和光学分布，以更好的光刻。Si-HM材料还需要在光学曝光前后与光刻胶具有良好的相容性，在此期间，暴露区域的光刻胶可能会发生极性变化。因此，Si-HM材料可能受益于自适应或两亲性的能力，以保持暴露和未暴露的光刻胶与衬底兼容。在这项工作中，我们将通过实验和计算机模拟证明Si-HM表面可能是自适应的或两亲的。具体来说，我们将证明Si-HM表面的官能团(极性和非极性)可能是可切换的，并且表面将由Si-HM所暴露的环境决定。了解Si-HM材料的自适应能力将极大地促进更好的衬底材料的开发，以改进光刻技术。
作者:(均隶属于Brewer Science, Inc.(美国)叶向桂(Shawn)、Joyce Lowes、朱志敏Sr、Richard Daugherty、范志强、James Lamb III、Tim Limmer和Srikanth Kommu
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