抗拒、计量和照明系统极端紫外线光刻技术继续进步。
正如预期的那样,今年的先进光刻+模式研讨会是一个非常有益的活动,有许多有趣的报纸被呈现在范围广泛的学科。许多文章主题相关前沿的光刻技术,这意味着EUV光刻。与EUV光刻牢固确立在高容量生产(HVM),我们可以看到在演示如何技术不断进步。也是非常合适的,今年的熔化泽尼克显微光刻法奖被授予在《会饮篇》的全体会议托尼日圆为他的贡献在HVM EUV光刻技术的实现。
在《会饮篇》有许多论文对拒绝和抵制过程EUV光刻,因为这些继续控制进展。金属氧化物拒绝继续成熟,流程改进来自材料供应商,还有其他人,比如东京电子用ESPERT过程。最近的结果使用蒸汽沉积抗拒也提出了。
虽然有很大进步在这些新的抵制平台,看来化学放大抗拒仍然是主要的EUV HVM成像材料。多个作者所示,一个意想不到的结果是减少腐蚀后的直线边缘粗糙度(l)在低空间频率对某些过程。进一步探索这种现象可以提高我们解决棘手问题的能力的l和推断统计学。
另一个resist-related问题解决在演讲的翼展模式,长期单一风险的挑战。一些抵抗的翼展模式功能系统,和改进使用缩短处理多个文件中提到的。
eBeam倡议午餐反映的两个演讲的主题——电子束计量和直写光刻也覆盖了数篇论文在《会饮篇》的技术会议。测量和缺陷检测的小特性产生使用技术领先的电子束光刻技术通常需要使用,进一步复杂化的需要收集大量的数据。计量设备公司给演示如何解决吞吐量为电子束计量的问题。深度学习计量的应用也是数篇论文的主题。
说到大量数据,ASML提出新功能调整叠加在光学曝光工具使用叠加模型与57参数!他们还提到,正在考虑EUV光刻系统数值孔径≥0.75。作者从imec的分析提出的潜在好处和挑战hyper-NA光刻技术,和我希望这个话题将在未来光刻技术会议上演讲的主题。ASML还透露他们的计划对未来EUV照明系统,使使用较小的最低学生填补没有重大损失的光,这一点更容易找到计算解决方案解决问题造成掩盖3 d效果。此外,这将是成功的,同时消除一面镜子在照明系统中,从而增加光到达晶圆的数量。
在研讨会期间,数篇论文被缝合,这是模式所需大型模具使用NA = 0.55 EUV光刻技术(没有面具的大小的改变)。另外,先进的包装,而不是大死了,可用于创建高性能的电子系统。先进模式的大型基质通常用于包装,直接写光刻技术,一个主题在eBeam倡议的午餐和一些会议论文的主题,具有潜在的优势。
几个演讲涉及曲线特性,显示福利增强过程窗口,以及进步的基础设施使使用弯曲的形状。imec的一篇论文显示额外的福利实现小区域逻辑细胞使用曲线特性在放松的场地设计,将设计技术开(DTCO)一个有趣的新方向。
EUV薄膜继续改善,尽管他们还没有使用薄膜的光学光刻一样普遍。似乎有乐观的剩余问题EUV薄膜制成的碳纳米管将会解决,导致高传播和广泛的采用薄膜的EUV光刻。
今年的先进光刻+模式研讨会是一个伟大的事件,值得参加,有大量高质量的论文。许多论文进展报告,进一步改善即将推出。对我来说,最好的部分是会见同事面对面交流的能力,为讨论提供机会的新信息技术课程和受益于其他石版家的观点。我期待着明年看到许多新改进了!
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