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标签:HJL光刻

多波束面具作家是一个改变游戏规则
通过简•威利斯12月- 22,2022 -评论:0

eBeam倡议的第11届名人调查在2022年公布了强劲采购预测多波束面具作家,使两种EUV和曲线光掩模的增长。一个专家小组讨论剩余曲线光掩模采用壁垒在事件与其他方法相比光掩模技术会议在9月下旬。行业杰出人物代表44伴随矩阵……»阅读更多

High-NA EUV复杂化EUV光掩模的未来
通过简•威利斯11月17日,2022 -评论:0

eBeam计划2022年第11届名人调查报道EUV推动半导体光掩模行业的增长,一个专家小组引用了一些并发症在搬到High-NA EUV事件与其他方法相比光掩模技术会议在9月下旬。从半导体行业杰出人物代表44公司生态系统partic……»阅读更多

追求曲线光掩模
通过马克LaPedus——4月15日,2021 -评论:1

半导体产业上取得明显进展高级曲线光掩模的发展,对芯片设计技术,有着广泛的含义在最先进的节点和能力制造这些芯片更快、更便宜。现在的问题是,当将该技术超越niche-oriented地位,加大进入量产阶段。因为你们…»阅读更多

EUV薄膜终于准备好了
通过马克LaPedus——3月22日,2021 -评论:0

经过一段时间的延迟,EUV薄膜是新兴和成为一个关键芯片的大批量生产的要求。同时,极端的紫外线的薄膜景观(EUV)光刻技术正在改变。荷兰阿斯麦公司的唯一供应商EUV薄膜,将这些产品的组装和销售转移到三井。其他人也在开发薄膜EUV,下一代……»阅读更多

周评:制造、测试
通过马克LaPedus- 12月31日,2020 -评论:0

芯片制造商和原始设备制造商第三点,对冲基金公布的一封信,称英特尔需要探索其战略选择。这包括芯片巨头的分手。通过雅虎和其他人,这封信说英特尔需要决定“英特尔是否应该保持一个集成的设备制造商”,应该剥离某些失败的收购。这是另一个分析坐……»阅读更多

人工智能和High-NA EUV 3/2/1nm
通过马克LaPedus12月- 16,2020 -评论:1

半导体工程坐下来讨论光刻和布莱恩Kasprowicz光掩模问题,技术总监和策略和一个杰出的成员在光电池的技术人员;哈里·莱文森HJL光刻技术负责人;资深技术专家平Nakayamada NuFlare;和阿基》d2的首席执行官。以下是摘录的谈话。竞争……»阅读更多

在下面3 nm和EUV挑战和未知
通过马克LaPedus11月19日,2020 -评论:1

芯片行业正在准备下一阶段的极端紫外线(EUV)光刻3海里,但挑战和未知继续堆积起来。在研发,供应商正在研究各种新EUV技术,如扫描仪、抗拒和面具。这些将需要达到未来流程节点,但他们更复杂和昂贵的比当前EUV亲……»阅读更多

挑战持续EUV
通过马克LaPedus11月- 11 2020 -评论:2

半导体工程坐下来讨论光刻和布莱恩Kasprowicz光掩模问题,技术总监和策略和一个杰出的成员在光电池的技术人员;哈里·莱文森HJL光刻技术负责人;资深技术专家平Nakayamada NuFlare;和阿基》d2的首席执行官。以下是摘录的谈话。竞争……»阅读更多

面具/成熟的光刻技术问题节点
通过马克LaPedus10月- 22,2020 -评论:0

半导体工程坐下来讨论光刻和布莱恩Kasprowicz光掩模问题,技术总监和策略和一个杰出的成员在光电池的技术人员;哈里·莱文森HJL光刻技术负责人;资深技术专家平Nakayamada NuFlare;和阿基》d2的首席执行官。下面摘录的对话……»阅读更多

EUV在下面3 nm和不确定的未来
通过马克LaPedus——5月21日,2020 -评论:5

几个铸造厂已经极端紫外线(EUV)光刻投入生产在7和5 nm,但是现在这个行业正在准备下一阶段的技术3 nm和超越。在研发,行业开发新EUV扫描仪,面具和抵制为下一个节点。3 nm定于2022年,其次是2海里以后一年或两年。尽管如此,它需要巨大的资金……»阅读更多

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