技术论文

为纳米级电子器件设计选择性沉积的过程

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技术论文题为“量化TiO的均匀性和选择性2电影在45纳米一半音高模式使用Area-Selective沉积超级周期”由研究人员发表在IMEC,北卡罗莱纳州立大学和KU鲁汶。

文摘:

“Area-selective沉积(ASD)显示了巨大的希望纳电子学sub-10纳米制造,但重大挑战仍在扩展超小尺寸和理解feature-dependent不均匀性和选择性的损失。这项工作能解决这些问题,同时量化为钝化/沉积均匀性和选择性蚀刻超级周期在45 nm半个球场锡/ SiO2线/空间模式。这项工作的选择性过程采用三个独特的适合超级周期处理:dimethylamino-trimethylsilane (DMA-TMS)抑制TiO2原子层沉积(ALD)和哈佛商业评论/ BCl3等离子蚀刻。有选择地DMA-TMS抑制钝化SiO2nongrowth表面而不影响锡和TiO沉积2增长的表面。等离子体蚀刻删除TiO2缺陷颗粒比正形TiO的速度2电影或SiO2行。使用这个过程的三个超级周期,这项工作表明TiO的8海里2有88%的一致性和≈100%选择性透射电子显微镜(TEM)、2×改善膜厚度从先前的报道类似的纳米级模式。综合考虑均匀性和选择性在特定功能尺度将促进选择性沉积过程的有效设计纳米电子设备。”

找到这里的技术论文。发表:2023年6月。

奈,瑞秋。Kaat Van幅,Jean Francois de Marneffe应承担的格雷戈里·n·帕森斯,Annelies Delabie。“量化二氧化钛薄膜的均匀性和选择性45 nm应承担的音高模式使用地理区域选择性沉积超级周期的一半。“先进材料接口:2300163。

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