技术论文题为“集成量子光学薄膜铌酸锂相位传感器”由斯坦福大学的研究人员发表和NTT研究。
“光的量子噪声,由于随机光子到达的时间从相干光源,从根本上限制了光学相位传感器。压缩态的设计来源抑制这种噪声和允许阶段检测灵敏度之外的量子噪声极限(QNL)。我们需要在部署使用量子光量子传感器的方法。在这里,我们提出一个光子在铌酸锂薄膜集成电路,满足这些需求。我们使用二阶非线性产生压缩态在同一频率的泵浦光,实现电路控制和光电传感。我们使用26.2毫瓦的光功率,测量(2.7±0.2)%挤压和应用提高相位测量的信噪比。我们预料这样的光子系统,采用低功率和集成所需的所有功能在一个死,将打开新的量子光学传感的机会。”
找到这里的技术论文。发表:2023年6月。
列奥波尔德·斯托科夫斯基H.S.麦肯纳,t、公园、t . et al .集成量子光学薄膜铌酸锂相位传感器。Nat Commun 3355 (2023)。https://doi.org/10.1038/s41467 - 023 - 38246 - 6
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