技术论文题为“I-V-T特点和温度传感器的性能Fully-2D WSe2 /二硫化钼在低温下异质结二极管”被德累斯顿技术大学的研究人员发表,离子束物理和材料研究所,国家材料科学研究所。
“在这项工作中,我们演示基于fully-2D-material的可用性设备组成的二硫化钼/ WSe2异质结封装hBN和联系了石墨烯作为线性温度传感器温度测量在低温下。更准确地说,气温在10 K到300 K的范围应用到设备在记录电流-电压特性。与经典的期望相比,电流主要通过设备相对地有偏见。我们把这归因于drift-diffusion和结构tunnel-ing,而对于极低温度(T < 100 K),变量范围跳跃或trap-assisted隧道似乎占主导地位。在正向偏压,肖特基接触WSe2-anode阻碍了电荷传输的电压范围。此外,我们获得了活化能反向饱和电流的阿伦尼乌斯图。根据偏差水平,100伏和300伏之间变化,这可能与界面陷阱,造成的能量势垒一代中心之间的半导体二维材料和结构的隧道。此外,我们研究了温度传感器的性能通过应用一个恒流装置,在不同温度下测量电压降。40 K到300 K的范围内,传感器的灵敏度是2 mV / K,这是与Si设备,在线性仍低0.94 (R2)。另一方面,证明设备仅由二维材料,因此,衬底独立,很薄,可以在一个完全柔性衬底上制作一个低成本的过程。”
找到这里的技术论文。发表:2023年6月。
c·d·Matthus et al .,“I-V-T特点和温度传感器的性能Fully-2D WSe2 /二硫化钼异质结二极管在低温下,“在IEEE电子设备协会》杂志上,doi: 10.1109 / JEDS.2023.3289758。
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