ASD的过程进行了原位蚀刻室

通过技术论文链接2022年5月- 06 -评论:0

新的研究论文题为“Plasma-based区域选择性沉积减少极端紫外线抵制defectivity和过程改进窗”从电话技术中心,美洲和IBM的研究。文摘:“极端紫外线(EUV)光刻技术克服了重大挑战的逻辑扩展成为一个基本前提的路线图。然而,它仍然受限于stocha……»阅读更多

铜互联扩展到2海里

通过劳拉·彼得斯——3月17日,2022 -评论:0

晶体管扩展达到一个临界点3海里,在nanosheet场效应晶体管可能会取代finFETs满足性能,力量,区域,和成本(PPAC)的目标。一个重要体系结构变化是同样的评价对铜互联2 nm,此举将重新配置权力的方式交付给晶体管。这种方法依赖于所谓埋权力rails (BPRs)和…»阅读更多

通过安Mutschler- 7月26日,2016 -评论:0

旋转混合拓扑中,麻省理工学院的研究人员正在研究新化合物,如拓扑绝缘体(TIs),它支持保护电子状态的表面晶体硅技术不能作为追求的一部分,为下一代的电子材料平台。他们报告新物理现象相结合实现了这一领域的TIs subfiel……»阅读更多