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标签:TEM

电子束IC缺陷检测生长的作用
通过凯伦·海曼7月- 12,2022 -评论:1

永久的迈向更小的特性,再加上对芯片寿命更长更好的可靠性不断增长的需求,已从一个相对模糊的高架检查但必要的技术到工厂和包装最重要的工具之一。多年来,检查被陷害了电子束之间的战斗和光学显微镜。不过,越来越多的其他类型的高级警官……»阅读更多

制造业:12月28日
通过马克LaPedus- 12月28日,2021 -评论:1

测量microdroplets国家标准与技术研究院(NIST)找到了一个新方法显微镜测量microdroplets的卷。使用这种技术,NIST还测量了单个液滴的体积小于100/1000000000000升的不确定性不足1%。表示提高十倍相比以前的测量,显示…»阅读更多

半导体纳米通道在热机械的金属碳纳米管手性改变
通过技术论文链接- 12月23日,2021 -评论:0

文摘:“碳纳米管有一个螺旋结构中手性决定了他们是否金属或半导体。使用原位透射电子显微镜,我们应用加热和机械应变改变当地的手性,从而控制个人着单壁球长大的碳纳米管的电子性质。过渡的趋势更大的手性角地区哇…»阅读更多

与电子束检验发现缺陷
通过马克LaPedus8月- 20,2020 -评论:0

几家公司正在开发或航运下一代电子束检测系统,以减少缺陷先进逻辑和内存芯片。供应商正在与这些新电子束检验系统的两种方法。一个是更传统的方法,它使用一个单光束电子束系统。与此同时,其他正在开发更新的多波束技术。这两种方法有寡糖……»阅读更多

加快研发计量过程
通过马克LaPedus- 7月16日,2020 -评论:0

一些芯片制造商正在一些主要的变化表征/计量实验室,增加fab-like过程在这组帮助加速芯片开发时间。描述/计量实验室,通常根据雷达,是一组,研发组织和工厂使用。描述实验室参与了早期的分析工作next-generati……»阅读更多

计量挑战Gate-All-Around
通过马克LaPedus- 4月16日,2020 -评论:3

计量被证明是一个重大挑战的铸造厂工作流程gate-all-around 3纳米场效应晶体管。计量是测量和描述结构的艺术装置。测量和描述结构设备变得更加困难和昂贵的在每一个新节点,并引入新的类型的晶体管是更加困难。电动汽车……»阅读更多

新的成像技术发现埋藏缺陷
通过Shinsuke美津浓- 5月23日,2019 -评论:0

由Shinsuke美津浓,瓦迪姆Kuchik缺陷和污染在晶片可以缓慢的过程开发时间和极限性能和产量。随着芯片越来越复杂,更多的缺陷可以成为埋在越来越多的层的设计。发现和分析这些埋藏缺陷是一个重大的挑战,特别是在早期学习周期的新manufa……»阅读更多

3 d NAND计量日益增长的挑战
通过马克LaPedus- 09年4月,2019 -评论:8

3 d NAND闪存供应商面临几个挑战他们的设备规模到下一个级别,但制造技术是在每个turn-metrology更加困难。计量、测量和描述的艺术结构,找出问题,确保收益用于所有芯片类型。对于3 d NAND,计量工具正变得越来越昂贵的在每个迭代中…»阅读更多

FinFET计量挑战成长
通过马克LaPedus——5月17日,2018 -评论:1

芯片制造商面临着众多的挑战在工厂10 nm / 7海里,但通常是一种技术在雷达下变得尤其difficult-metrology。计量、测量和描述的艺术结构,用于确定设备和流程的问题。它有助于确保实验室和工厂的产量。在28 nm及以上,计量是一个简单的…»阅读更多

制造业:4月19日
通过马克LaPedus——4月19日,2016 -评论:0

明尼苏达大学的热门视频录制的视频,显示热量穿过材料,此举可能让研究人员了解原子和其他结构的行为。它还可以向更高效的发展铺平道路材料用于电子和其他应用程序。在实验室中,研究人员利用范的透射电子microsc……»阅读更多

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