标签:透射电子显微镜法

新的成像技术发现埋藏缺陷
通过Shinsuke美津浓- 5月23日,2019 -评论:0

由Shinsuke美津浓,瓦迪姆Kuchik缺陷和污染在晶片可以缓慢的过程开发时间和极限性能和产量。随着芯片越来越复杂,更多的缺陷可以成为埋在越来越多的层的设计。发现和分析这些埋藏缺陷是一个重大的挑战,特别是在早期学习周期的新manufa……»阅读更多

FinFET计量挑战成长
通过马克LaPedus——5月17日,2018 -评论:1

芯片制造商面临着众多的挑战在工厂10 nm / 7海里,但通常是一种技术在雷达下变得尤其difficult-metrology。计量、测量和描述的艺术结构,用于确定设备和流程的问题。它有助于确保实验室和工厂的产量。在28 nm及以上,计量是一个简单的…»阅读更多

等待下一代计量
通过马克LaPedus——5月21日,2015 -评论:0

芯片制造商继续3月各流程节点,但这个行业需要新的突破将IC比例在10纳米。事实上,该行业将需要至少两个主要areas-patterning和创新[getkc id =“36”=“互连”评论]。还有其他方面的问题,但一个技术是快速上升的顶部附近list-metrology ....»阅读更多

寻找3 d计量
通过马克LaPedus——3月19日,2015 -评论:3

在过去的二十年中,芯片制造商做了一个大胆而必要的决定选择[getkc id = " 185 " kc_name =“finFET”)作为下一个晶体管集成电路产业的体系结构。不过,随着时间的推移,芯片制造商发现finFET将工厂的一些挑战。沉积、光刻和蚀刻明显的障碍,但在计量芯片制造商也看到一个巨大的差距。事实上,…»阅读更多

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