”背景:计划提高半导体芯片的性能历史上推动改善光刻这预计将继续在未来。国际设备和系统路线图可以帮助行业路线图规划未来。
目的:2021年的光刻技术路线图显示了需求,可能的选项,和挑战未来15年。
结果:逻辑芯片的临界尺寸现在推测学的足够小,即。光子随机变化,分子,光刻胶的形象形成过程中,引入了随机变化大小和stochastic-driven缺陷。临界尺寸变小,推测学成为一个更大的挑战。路线图计划,尽管预计改善工具,光刻胶,设备设计和模式流程,抵制剂量印刷仍将需要大约三倍在未来10年内维持可接受的推断统计学除非主要流程或芯片设计进行更改。这将大大提高模式成本。其他模式选项正在发展但是也有挑战与缺陷有关。边缘位置误差(EPE)也是一个挑战未来的设备。长期的、逻辑设备的需求将推动堆叠设备,产量和过程的复杂性将是关键的挑战。
结论:逻辑器件将推动前沿光刻。提高极端紫外线光刻技术是一个领先的候选人但其他选项是可能的。关键的短期挑战推断统计学,EPE、和成本。抵制剂量打印预计将大幅上升,随着临界尺寸缩小,除非发生重大工艺创新。长期的挑战将产量和流程复杂性时逻辑设备切换到3 d缩放。”
把这个开放获取技术论文在这里。公布的10/2021。
马克Neisser早期“国际设备和系统路线图光刻技术路线图,”微杂志/ Nanopatterning、材料、和计量2021年10月20 (4),044601 (4)。https://doi.org/10.1117/1.JMM.20.4.044601
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