中文 英语

标签:边缘位置错误

BEOL集成为1.5 nm节点和超越
通过Assawer苏苏- 4月25日,2022 -评论:0

当我们接近1.5 nm节点,将新的BEOL设备集成挑战。这些挑战包括需要较小的金属球,以及对新流程的支持。流程修改提高钢筋混凝土性能,减少边缘位置错误,并使具有挑战性的制造过程都是必需的。为应对这些挑战,我们调查了th…»阅读更多

更快的收益率坡道策略5 nm芯片
通过劳拉·彼得斯4月- 12,2022 -评论:0

主要芯片制造商台积电和三星在高容量生产5纳米设备生产和台积电它正在稳步推进计划年底前前3纳米硅。但以满足这种积极的目标,工程师必须确定缺陷和斜坡产生的速度比以前更快了。对付EUV随机缺陷——无重复模式的缺陷,如微桥断了线,或失踪……»阅读更多

国际设备和系统路线图光刻技术路线图
通过技术论文链接11月19日,2021 -评论:0

文摘:“背景:计划提高半导体芯片的性能历史上推动改善光刻这预计将继续在未来。国际设备和系统路线图可以帮助行业路线图规划未来。目的:2021年的光刻技术路线图显示了需求,可能的选项,和挑战未来15年。脸上……»阅读更多

多模式EUV与High-NA EUV
通过马克LaPedus2019年12月- 04 -评论:4

铸造厂终于在生产与EUV光刻7海里,但芯片客户现在必须决定是否使用EUV-based实现他们的下一个设计多个模式5 nm / 3 nm或等待一个新的单井网EUV系统3 nm和超越。这个场景围绕ASML目前的极端紫外线(EUV)光刻工具(NXE: 3400 c)和一个全新的EUV系统……»阅读更多

使用传感器数据来提高产量和正常运行时间
通过埃德·斯珀林- 2月21日,2019 -评论:2

半导体设备厂商也开始增加更多的传感器到他们的工具,以提高工厂正常运行时间、晶片产量和降低拥有成本和芯片的失败。大量数据从这些工具将提供更多的细节比过去对多种类型和来源的变异,包括变异发生在何时何地和如何,…»阅读更多

变异成长更广泛和深入的问题
通过埃德·斯珀林——2019年1月24日——评论:0

变化越来越有问题的芯片越来越异构,它们用于新的应用程序和不同的位置,引发了如何解决这些问题和担忧的全面影响。在过去,半导体的变化被认为是一个铸造问题,通常在最先进的流程节点,在很大程度上被大多数公司所忽视。新的p…»阅读更多

选择性沉积在哪里?
通过马克LaPedus- 25,2018 -评论:4

多年来,该行业一直致力于一个名为area-selective沉积的先进技术对芯片生产5 nm和超越。Area-selective沉积,先进的自对准模式技术,仍在研发与技术在一系列挑战。但更高级形式的技术开始取得一些进展,可能从洛杉矶指日可待…»阅读更多

新的模式选项新兴
通过马克LaPedus——4月19日,2018 -评论:1

有几个工厂工具厂商推出下一波的自对准模式技术在转向新设备在10/7nm和超越。应用材料、林研究和电话开发自对准技术是基于各种各样的新方法。最新的方法是自对准模式技术与多色材料计划,这对我们的设计……»阅读更多

更多的光刻/面具挑战(第2部分)
通过马克LaPedus- 4月17日,2018 -评论:3

半导体工程坐下来讨论光刻和格里高利·麦金太尔光掩模技术,先进模式部门主任(getentity id = " 22217 " e_name =“Imec”);哈里·莱文森高级研究员和高级技术研究主管[getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”);董事总经理Regina释放模式技术[getentity id = "……»阅读更多

更多的光刻/面具的挑战(第1部分)
通过马克LaPedus3月- 15,2018 -评论:2

半导体工程坐下来讨论光刻和格里高利·麦金太尔光掩模技术,先进模式部门主任(getentity id = " 22217 " e_name =“Imec”);哈里·莱文森高级研究员和高级技术研究主管[getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”);董事总经理Regina释放模式技术[getentity id = "……»阅读更多

←旧的文章

  • 赞助商

关于

导航

与我们联系

版权©2013 - 2023 SMG |服务条款|隐私政策
Baidu