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标签:EPE

铜互联扩展到2海里
通过劳拉·彼得斯——3月17日,2022 -评论:0

晶体管扩展达到一个临界点3海里,在nanosheet场效应晶体管可能会取代finFETs满足性能,力量,区域,和成本(PPAC)的目标。一个重要体系结构变化是同样的评价对铜互联2 nm,此举将重新配置权力的方式交付给晶体管。这种方法依赖于所谓埋权力rails (BPRs)和…»阅读更多

国际设备和系统路线图光刻技术路线图
通过技术论文链接11月19日,2021 -评论:0

文摘:“背景:计划提高半导体芯片的性能历史上推动改善光刻这预计将继续在未来。国际设备和系统路线图可以帮助行业路线图规划未来。目的:2021年的光刻技术路线图显示了需求,可能的选项,和挑战未来15年。脸上……»阅读更多

选择性沉积在哪里?
通过马克LaPedus- 25,2018 -评论:4

多年来,该行业一直致力于一个名为area-selective沉积的先进技术对芯片生产5 nm和超越。Area-selective沉积,先进的自对准模式技术,仍在研发与技术在一系列挑战。但更高级形式的技术开始取得一些进展,可能从洛杉矶指日可待…»阅读更多

在一个节点是什么?
通过Sundeep Bajikar- 5月30日,2018 -评论:0

的环境中,节点不再持续交付过程的改进预测的摩尔定律,该行业将继续发展“节点间”来代替“full-nodes交付增量改进。“市场需求的变化,部分原因在于人工智能和物联网的兴起,越来越多强调trailing-nodes。当涉及到领导……»阅读更多

新的模式选项新兴
通过马克LaPedus——4月19日,2018 -评论:1

有几个工厂工具厂商推出下一波的自对准模式技术在转向新设备在10/7nm和超越。应用材料、林研究和电话开发自对准技术是基于各种各样的新方法。最新的方法是自对准模式技术与多色材料计划,这对我们的设计……»阅读更多

更多的光刻/面具的挑战(第1部分)
通过马克LaPedus3月- 15,2018 -评论:2

半导体工程坐下来讨论光刻和格里高利·麦金太尔光掩模技术,先进模式部门主任(getentity id = " 22217 " e_name =“Imec”);哈里·莱文森高级研究员和高级技术研究主管[getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”);董事总经理Regina释放模式技术[getentity id = "……»阅读更多

在光刻和面具
通过马克LaPedus2017年5月- 01 -评论:1

半导体工程坐下来讨论光刻和格里高利·麦金太尔光掩模技术,先进模式部门主任(getentity id = " 22217 "评论=“IMEC”);哈里·莱文森高级研究员和高级技术研究主管[getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”);首席技术官David炸(getentity id = " 22210 " e_name = " x和…»阅读更多

模式问题堆积起来
通过马克LaPedus3月- 20,2017 -评论:4

芯片制造商增加16 nm / 14 nm finFET过程,与10 nm和7海里现在进入早期生产。但在10纳米,芯片制造商正面临着一系列新的问题。而萎缩的特征尺寸的设备到10纳米,7海里,5海里,也许除了使用当前和未来可能的工厂设备,似乎没有一个简单的方法来解决边缘位置误差(EPE)…»阅读更多

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