时间已经转移到一个新的分类,包括材料和3 d技术。
的环境中,节点不再持续交付过程的改进预测的摩尔定律,该行业将继续发展“节点间”来代替“full-nodes交付增量改进。“市场需求的变化,部分原因在于人工智能和物联网的兴起,越来越多强调trailing-nodes。leading-nodes时,EUV提供改善分辨率,它只提供一个部分解决方案层对齐错误(即覆盖错误或边缘位置错误,EPE)。材料工程需要的节点,在leading-nodes地址通过自对准层排列结构,帮助实现节点间,以及增强trailing-nodes。
今年的行业战略研讨会(ISS)包括一个非常有趣的小组讨论题为“节点,节点间和真正的节点。“Dan Hutcheson担任主持人的VLSI和小组成员中有马克波尔英特尔,NVIDIA的约翰·陈,彼得·詹金斯ASML Prabu拉贾的应用材料。
下面我重点选择引用小组成员讨论的主要话题。
节点间与Full-Nodes
马克·波尔——“Full-nodes,我觉得至少从英特尔的角度来看,需要目标接近2 x晶体管密度的改善比前一节点。和full-nodes也通常当我们引进重大技术变更,如high-K金属门然后FinFET。节点间真的是在你的情况下全部节点的进一步优化。你可能会学到一些新的东西,不过你已经通过提高晶体管性能的方法,或者一些设计规则来帮助提高密度。或者在某些情况下,他们有专门的设备如超低泄漏晶体管或高压I / O晶体管。这就是我们所看到的是节点间的价值。”
4月英特尔的财报电话会议上,该公司表示,自首次实现了70%的性能提升14纳米产品的推出通过流程优化和建筑创新的结合。
约翰陈——“从用户的角度来看,有三个原因节点间据我所知。一个是你想提高性能…第二个是…铸造改变了设计规则提供更高密度和降低成本。第三个是,因为下一个主要节点需要更长的时间来实现。摩尔定律,你知道,正在放缓,如果它没有结束。”
Trailing-Nodes与Leading-Nodes
马克·波尔——“重要的是要认识到,有一个增长的类别的产品,如物联网产品,并不真正需要的东西,他们也承担不起,设计改变数十亿的晶体管工作在三个或四个兆赫。有一个类的产品真的可以利用trailing-nodes,我们可以做一些改变来开发技术的两点之间的这些需求。我认为一个很好的例子是22日该组织技术,英特尔去年推出。22日该组织需要从我们的老22纳米技术的一些特点,从我们14纳米技术。我们把他们,增强他们真正满足物联网产品的需要…我们想修改或增强的后缘节点以及推动尖端节点。”
覆盖精度辩论:EUV和材料工程
彼得•詹金斯——“我昨天强调的演示,我们提供更多的灵活性,可以使用可能与EUV。简单的处理,简单的图案,和继续工作覆盖挑战…”
约翰陈——“现在彼得,我能问一个简单的问题吗?教我一些:EUV本质上有更好的覆盖精度吗?”
彼得•詹金斯——“天生的?它有天生的两倍或三倍模式相比,是的。我不认为我可以教你任何约翰。”
约翰陈——“波长扮演这样一个角色的叠加吗?”
彼得•詹金斯——“我不认为从根本上说,但也有好处。我已经提到了减少模式的复杂性。但是…我们使用真空系统的必要性,因为波长。但它实际上有助于在阶段精度…………舞台的测量位置。我们能看到更好的覆盖性能结果。所以有一些实用的好处你可以说从技术。”
Prabu拉贾——“我看到[层垂直对齐)是最大的障碍。我认为,约翰,你可以谈论它。我们如何连接这些数十亿通过?我们称之为边缘位置错误。会有局限性,在某种程度上它不会工作。所以这就是为什么我说EUV可以帮助减少的次数过程…这将是基本的。这就是为什么似乎越来越…自对准结构,如果它可以通过材料结盟,可能是在某种程度上对齐的唯一的解决办法。所以我们要想更多的材料。”
马克·波尔——“特征尺寸比例是非常重要的,和EUV将帮助我们。但是校准公差不萎缩,所以我们需要开发更多的自对准技术和处理技术帮助。”
在应用材料我们相信有更大的机会在“leading-nodes”为材料工程解决的挑战(例如叠加,EPE)和交付创新“节点间”和“trailing-nodes。“我们相信人工智能和物联网的兴起将进一步加快材料工程通过的机会文艺复兴时期的计算硬件摩尔定律,无论业界认为是活着的上下文中经典的2 d缩放。
正如我们所看到的逻辑晶体管high-K金属门之前,在与非3 d之前,经典摩尔定律扩展可以达到物理极限。而萎缩之前交付改进设备性能,功率和面积/成本(PPAC),我们现在需要新的材料和3 d技术。在NAND闪存,经典摩尔定律(每毫米²记忆细胞)转换到3 d(每毫米³记忆细胞)。相同的概念中可以看到逻辑(3 d FinFET)和新兴的记忆(英特尔3 d XPoint技术)。
的经典分类“Xnm”不再充分描述行业进步和价值创造。也许是时候转向一个新的分类名称中包含哪些材料和3 d技术以及在实践中。请继续关注更多,即将在这个博客的第2部分。
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