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标签:3 d XPoint

展望:DRAM, NAND，下一代内存
通过马克LaPedus- 2021年11月18日-评论:0

Objective Analysis的主管Jim Handy接受了《半导体工程》的采访，谈论了3D NAND、DRAM和下一代内存市场。以下是那次讨论的节选。SE:到目前为止，你如何描述2021年的NAND市场?Handy:所有芯片在2021年都看到了不同寻常的强度，但NAND闪存和DRAM正在做他们通常做的事情，表现出更多的电子性能。»阅读更多

AI边缘芯片的内存问题
通过马克LaPedus- 2020年3月23日-评论

有几家公司正在为网络边缘的系统开发或增强AI芯片，但供应商面临着各种各样的挑战，围绕着进程节点和内存选择，这些挑战在不同的应用程序之间差异很大。网络优势涉及一系列产品，从汽车、无人机到安全摄像头、智能音箱，甚至企业服务器。所有这些应用。»阅读更多

驯服新奇的NVM非确定性
通过布来安梅奥- 2020年3月10日-评论

新的存储器技术可能具有非确定性特征，增加了测试负担的校准-并且可能需要在其生命周期内重新校准。许多这样的存储器都在开发中，这是对存储级存储器(SCM)技术的研究的结果，这种技术可以弥合闪存等更大、更慢的存储器和更快的DRAM存储器之间的差距。有几种方法……»阅读更多

一周回顾:制造，测试
通过马克LaPedus- 2019年9月27日-评论:0

芯片制造商联华电子公司(UMC)已经满足了全面收购Mie富士通半导体有限公司(MIFS)的所有交易条件，后者是UMC和富士通半导体有限公司(FSL)的前300毫米晶圆代工合资企业。收购计划于10月1日完成。2014年，FSL和UMC同意UMC通过交易从FSL手中收购MIFS 15.9%的股份。»阅读更多

3D NAND竞争面临巨大的技术和成本挑战
通过马克LaPedus- 2019年5月23日-意见:8

在内存持续低迷的情况下，3D NAND供应商继续竞争下一代技术，面临着几个挑战，未来可能会出现洗牌。美光(Micron)、三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)和东芝-西部数据(Toshiba-Western Digital)两家公司正在路线图的下一个节点上开发3D NAND产品，但另外两家公司——英特尔(Intel)和中国扬子存储技术有限公司(YMTC)——的状态还很不稳定。»阅读更多

制造和测试STT-MRAM的挑战
通过马克LaPedus- 2019年5月7日-评论

几家芯片制造商正在加紧开发被称为STT-MRAM的下一代内存类型，但目前和未来的设备仍然面临着各种各样的制造和测试挑战。STT-MRAM，或称自旋传递扭矩MRAM，很有吸引力，而且越来越受欢迎，因为它在单个设备中结合了几种传统存储器类型的属性。在多年的工作中，STT-MRAM具有…»阅读更多

嵌入式相变存储器问世
通过马克LaPedus- 2019年1月24日-意见:3

随着另一项技术——嵌入式相变存储器的出现，用于嵌入式应用程序的下一代存储器市场正变得越来越拥挤。相变存储器并不是什么新东西，它已经研究了几十年了。但由于技术和成本方面的诸多挑战，这项技术需要更长时间才能实现商业化。相变存储器，一种存储数据的非易失性存储器。»阅读更多

5英特尔事件的观察
通过马克LaPedus- 2018年12月17日-评论:0

不久前，英特尔(Intel)举办了“架构日”活动，这家芯片巨头的高管们在会上展示了该公司的最新产品和下一代技术。该公司还讨论了自己的战略。可以肯定的是，这对英特尔来说是一个关键时刻。今年6月，Brian Krzanich被迫辞去首席执行官一职，该公司仍在寻找一位永久的首席执行官。另外，英特尔已经推迟了…»阅读更多

混合内存
通过埃德·斯珀林- 2018年9月13日-评论:0

Rambus Labs高级副总裁Gary Bronner谈到了DRAM扩展的未来，为什么一种内存不能解决所有需求，以及不同内存的优缺点。https://youtu.be/R0hhDx2Fb7Q»阅读更多

下一代内存升级
通过马克LaPedus- 2018年8月16日-评论:6

随着厂商推出大量新技术，下一代内存市场正在升温，但要使这些产品成为主流还面临一些挑战。多年来，业界一直致力于各种存储技术，包括碳纳米管RAM、FRAM、MRAM、相变存储器和ReRAM。有些是在运输，有些是在研发。每种内存类型都是di…»阅读更多

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