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深入了解先进的DRAM电容器模式:使用虚拟制造的工艺窗口评估
通过Qingpeng王- 2022年10月20日-评论:0

随着设备的不断扩展，由于较小的特征尺寸和较大的工艺步骤可变性，工艺窗口变得越来越窄[1]。在半导体开发的研发阶段，一个关键的任务是选择一个具有较大工艺窗口的良好集成方案。在晶圆测试数据有限的情况下，评估不同集成方案的制程窗口可以…»阅读更多

通过过程窗口建模寻路
通过Coventor- 2022年10月19日-评论:0

在先进的DRAM中，设计紧密封装模式的电容器以增加电池密度。因此，可能需要先进的制版方案，如多重蚀刻、SADP和SAQP工艺。在本文中，我们使用SEMulator3D®中的虚拟制造和统计分析，系统地评估了包括SADP和SAQP模式在内的DRAM电容器空穴形成过程。…»阅读更多

EUV光刻的底层优化方法
通过布鲁尔科学- 2021年7月21日-意见:0

光刻胶和衬底层结合在EUVL中起着核心作用。在未来，层会非常薄，因为高数值孔径(NA)和紧密间距将要求在光刻堆栈中使用非常薄的层。这种薄度将使在光敏电阻-底层界面的化学相互作用更加普遍。这些层之间的粘附性将是克服模式c的关键。»阅读更多

新颖的蚀刻技术利用原子层工艺先进的图案
通过电话- 2020年12月17日-评论:0

我们展示了高选择性和各向异性的Si3N4和SiC等离子体蚀刻。所演示的过程包括一系列的离子改性和化学干燥去除步骤。H离子修饰的Si3N4腐蚀对SiO2和SiC薄膜具有较高的选择性。此外，我们还开发了氮离子改性SiC的选择性蚀刻技术。另一方面，在模版蚀刻过程中，…»阅读更多

3/2nm的挑战
通过埃德·斯珀林- 2020年9月15日-评论:0

Lam Research计算产品副总裁David Fried谈到了即将到来的工艺节点问题，向EUV光刻和纳米片晶体管的转变，以及工艺变化如何影响成品率和器件性能。»阅读更多

高温工艺集成先进材料“，
通过詹姆斯羊肉- 2020年7月16日-意见:0

从最近的几个光刻节点，在14到10nm范围内，到最新的节点，在7到5nm范围内，对图案和图像传输材料的要求急剧增加。一个关键的关键点是平面化和所需的碳膜的高温稳定性之间的权衡，用于模压和后模压工艺集成。喋喋不休地说……»阅读更多

沟槽和Via阵列的超级平整化材料
通过布鲁尔科学- 2020年5月21日-意见:0

随着器件设计规模的扩大和变得更加复杂，对制模和传输步骤的精细控制是不可或缺的。深沟平面化和通过阵列一直是一个挑战。纵横比继续增加，而临界尺寸缩小，典型的沟渠填筑方案不再能够满足填筑和平面化的要求。自旋碳(SOC) m的传统设计…»阅读更多

EUV耐蚀剂厚度对过孔图案均匀性的影响
通过本杰明·文森特- 2020年3月30日-评论:0

在高级节点上，通过模式化需要非常低的临界维(CD)值，通常低于30nm。控制这些尺寸是一个严峻的挑战，因为在光刻和蚀刻过程中有许多固有的变化来源。covenor人员，与我们来自ASML和imec的同事一起，最近研究了极紫外光刻(EU…»阅读更多

N7 FinFET自对准四重模式建模
通过Coventor- 2019年12月16日-评论:0

在本文中，我们使用covenor SEMulator3D虚拟平台，基于过程流仿真建立了鳍节行走模型。模型中引入了翅片芯的锥角，与硅数据吻合较好。评估了对各种自对齐四重模式过程步骤的影响。蚀刻对图案密度的敏感性在模型中再现，并提供了对…»阅读更多

数字孪生和DL在光刻中的应用
通过埃德·斯珀林- 2019年11月21日-评论:0

D2S首席产品官兼执行副总裁Leo Pang介绍了在高级节点上使用曲线图案的反光刻技术的结果，以及如何将其与数字孪生体和深度学习相结合，加快上市时间并降低成本。»阅读更多

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