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本杰明·文森特

本杰明·文森特

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本杰明·文森特是欧洲的经理半导体在Coventor过程和集成(SPI)团队。他有10 +年的经验在半导体过程工程,包括一个在imec(比利时)从2008年到2012年是一个外延科学家在先进的逻辑区域。2013年,他加入了英特尔在圣克拉拉,CA,致力于开发和推出的第一个英特尔硅光子学产品光学收发器(100克)。文森特加入Coventor 2017年7月,欧洲Coventor SPI集团目前正在执行半导体过程开发和工程应用。他收到了他的物理学和材料科学博士学位女士格勒诺布尔理工研究所,在法国格勒诺布尔。

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在下一代克服挑战SRAM单元架构
通过本杰明·文森特- 3月18日,2021 -评论:0

静态随机存取存储器(SRAM)一直是一个关键元素的逻辑电路初以来半导体工业的时代。SRAM单元通常由六个晶体管连接到彼此为了执行逻辑存储和其他功能。晶体管的大小6 t (6) SRAM单元稳步下降在过去的几十年中,由于摩尔定律和t的粉碎……»阅读更多

Nanosheets引入附加磁场效应晶体管(CFETs)
通过本杰明·文森特- 01年6月,2020 -评论:0

2019年11月在我们的博客[1],我们讨论了使用虚拟制造(SEMulator3D)基准不同的流程集成选项Complementary-FET (CFET)制造。CFET CMOS架构,提出了2018年由imec [2]。该架构包含p -和n-MOSFET结构建立在彼此之上,而不是让他们并排。在我们以前的博客,我们r…»阅读更多

EUV通过模式抵制厚度均匀性的影响
通过本杰明·文森特3月- 30,2020 -评论:0

通过模式先进节点需要极低的临界尺寸(CD)值,通常低于30 nm。控制这些维度是一个严重的挑战,因为有很多内在的变异来源在光刻和蚀刻加工。Coventor人员,与我们的同事从ASML和imec最近看着极端紫外线光刻技术(欧盟的影响……»阅读更多

研究新一代CFET过程集成选项
通过本杰明·文森特——11月21日,2019 -评论:0

决策是一个关键的步骤,半导体技术的发展。研发半导体工程师必须考虑不同的设计和工艺选择早期发展的新一代技术。建立技术,如失效模式与效应分析(FMEA)可以用来选择其中最有前途的设计和流程的选择。一旦特定的设计和过程米……»阅读更多

使用半导体过程窗口优化控制变化
通过本杰明·文森特- 01年7月,2019 -评论:0

确保成功的半导体技术的发展,过程工程师必须为晶片工艺参数设定允许的范围。变化必须被控制,所以最终制造设备满足规范要求。这些规范包括临界尺寸、电气性能要求,和其他设备特征。前期制作或加速生产如果佤邦……»阅读更多

改善SAQP模式产生使用虚拟制造和先进的过程控制
通过本杰明·文森特- 3月25日,2019 -评论:0

先进的逻辑扩展创造了一些困难的技术挑战,包括要求高度密集的模式。Imec最近面临这个挑战,努力使用金属2 (M2)行模式与一个16 nm半场7海里的节点(相当于5 nm铸造节点)。自对准四模式(SAQP)调查作为替代路径极端Ul……»阅读更多

实用的方法来克服的挑战3 d逻辑设计
通过本杰明·文森特- 25,2018 -评论:0

你该怎么做,如果你没有足够的空间来存储你的地板上你所有的旧盒子吗?幸运的是,我们生活在一个三维的世界,你可以开始堆积在彼此的。挑战:如何缩小逻辑器件?逻辑设计师目前面临着更大的挑战比你可能在整理你的存储区域。不仅是逻辑细胞高度拥挤在一起…»阅读更多

改善模式收益率在5纳米半导体节点
通过本杰明·文森特- 3月29日,2018 -评论:0

工程决策总是数据驱动。作为科学家,我们只相信事实,而不是直觉或感情。在制造阶段,半导体行业急于提供数据和事实工程师基于指标如每小时生产的晶片数量和网站/设备每一个晶片上测试过。在半导体和巨大数量的数据生成…»阅读更多

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