如何加快与逆光刻技术制造具有复杂曲线数据。
执行副总裁首席产品官和狮子座彭日成在d2,看着逆光刻技术在先进的结果节点使用曲线模式,以及如何可以结合数字双和深度学习加快上市时间,降低成本。
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技术和业务问题意味着它不会取代EUV,但光子学、生物技术和其他市场提供足够的增长空间。
Gate-all-around将取代finFET,但它会产生一系列的挑战和未知。
IBM GlobalFoundries起诉;欧盟的47美元b芯片计划;中国芯片产出下降;空间打造开放我们设施;首先LPDDR闪存;可变形的纳米电子设备;桌面三维x光显微镜。
检查、平衡和未知数AI /毫升的半导体的设计。
高速度和低热量使这个技术至关重要,但它是极其复杂和人才是很难找到和火车。
术语往往交替使用时,他们非常不同的技术和不同的挑战。
少低精度等于权力,但标准要求做这项工作。
商业chiplet市场仍在遥远的地平线,但公司更早起有限的伙伴关系。
新的应用程序需要深刻理解不同类型的DRAM的权衡。
现有的工具可以用于RISC-V,但他们可能不是最有效或高效。还有什么需要?
如何定制、复杂性和地缘政治紧张局势颠覆全球现状。
行业取得了理解老龄化如何影响可靠性,但更多的变量很难修复。
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