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标签:随机缺陷

高na EUV技术面临新挑战
通过凯瑟琳德比郡- 2023年3月16日-评论

据估计，高数值孔径EUV曝光系统将在2025年问世。虽然与极紫外光刻技术的引入相比，高na光刻技术的变化没有那么深刻，但它仍然给光抗蚀剂和相关材料带来了一系列新的挑战。数值孔径越大，光子撞击晶圆的角度越小。这需要更薄的p…»阅读更多

利用SEMI-PointRend更准确和详细地分析SEM图像中的半导体缺陷
通过技术文件链接- 2023年3月10日-意见:0

一篇题为“SEMI-PointRend:改进的半导体晶圆缺陷分类和分割渲染”的技术论文由imec、蔚山大学和鲁汶大学的研究人员发表(预印)。摘要:“在这项研究中，我们将PointRend(基于点的渲染)方法应用于半导体缺陷分割。PointRend是一种受ima启发的迭代分割算法。»阅读更多

抑制随机相互作用以改进EUV光刻
通过布鲁尔科学- 2022年7月21日-意见:0

作者朱志敏，Joyce Lowes, Shawn Ye，樊志强和Tim Limmer来自美国Brewer Science, Inc.，利用随机区域厚度(SAT)和动态随机区域厚度(DSAT)来评估随机相互作用。提出了高光学足部曝光来取代传统的低基片反射率，以降低SAT。提出了通过酸/淬冷剂加载来控制附着力……»阅读更多

EUV光刻的底层优化方法
通过布鲁尔科学- 2021年7月21日-意见:0

光刻胶和衬底层结合在EUVL中起着核心作用。在未来，层会非常薄，因为高数值孔径(NA)和紧密间距将要求在光刻堆栈中使用非常薄的层。这种薄度将使在光敏电阻-底层界面的化学相互作用更加普遍。这些层之间的粘附性将是克服模式c的关键。»阅读更多

SE EUV图缺陷检测策略与过程划分
通过IBM- 2019年1月24日-评论

实现单暴露EUV模式的第二个节点的关键挑战是理解和减轻模式相关的缺陷，这些缺陷缩小了过程窗口。典型的在线检测技术，如宽带等离子体(291x)和电子束系统，发现很难在开发后检测主要的降良缺陷，从而理解工艺的影响。»阅读更多

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