缺陷检测策略和过程划分为SE EUV模式

文摘
实现的关键挑战2^nd节点single-expose EUV模式的理解和减轻patterning-related缺陷狭窄的窗口过程。典型的在线检测技术,如宽带等离子体(291 x)和电子束系统,难以检测的主要yield-detracting post-develop缺陷,从而理解过程改进策略的影响变得更具挑战性。新技术和新方法检测EUV光刻缺陷,以及明智的分区过程,开发过程所需的解决方案,提高产量。

本文将首先讨论替代lithography-related缺陷的检测技术和方法,如除去和微桥。这些策略将被用来更好地了解材料属性变更的影响,过程分区,和硬件的改进,最终把他们直接与电产生的批评者。

介绍
近年来半导体行业有长足的提高分辨率的EUV抵制平台允许完整权利的光学分辨率的扫描仪技术。化学放大抗拒,最初为248纳米光刻技术,开发适应EUV光刻和现在能够满足分辨率(< 32 nm)和剂量(15 mj /厘米²)要求RLS(分辨率、l和灵敏度)EUVL模式准备的性能目标。^{1 - 2}然而,的一个关键挑战实现5 nm节点single-expose (SE) EUV模式是理解和减轻狭窄的窗口过程的随机缺陷,最终导致一个有效的极限分辨率。

随机故障源于当地光电的波动和化学反应发挥更主要的作用特性,可以打印的数量与EUV达到数万亿。³线/空间(L / S)模式这些波动可以表现为除去导致增加微桥(MB)行扩大抵制剂量不足时,如换行符(OP)变化抵抗线薄当过量损失。^{4 - 5}图1显示了MB和OP缺陷密度在30 nm和32 nm距垂直L / S模式打印在不同剂量和测量发展。在32 nm音高随机缺陷密度剖面持平的剂量范围约2海里的实验条件。然而,在30 nm音高MB计数增加大约数量级。MB的缺陷密度随剂量的增加而呈指数减小,最终与换行的形成导致缺乏过程窗口。这个模式悬崖之外的一个给定大小的结构不会有优异的窗口被认为是由于非线性的CD剂量接近的极限分辨率。³

图1所示。)缺陷密度的微桥(MB)和换行符(OP)测量后开发(电子束检查与涂料使用PTD-CAR抵制剂量条纹圆片)的函数剂量30 nm和32 nm音高L / S模式。模式悬崖30 nm的音高是观察到由于增加MB. b)代表的SEM图像随机故障导致模式悬崖(腐蚀)。

整体SE EUV解决方案,克服了随机defectivity在“禁止球”需要基本模式进程空间的探索,从布局、成像和面具的贡献。抵抗属性,包括优化量子效率很大程度上由PAG内容/类型和EUV增敏剂,敏感性,溶解度交换的效率,在开发过程中溶解性能,和组件隔离都扮演一个角色在随机缺陷调制。一起抵制改进,附着力与衬层和交互,堆栈长宽比,hardmask类型和总体腐蚀战略和选择性也可以调节或减轻这些类型的缺陷。当我们优化材料和流程来减少随机失败我们也需要认识到的变化对产量的影响defectivity固有的材料,材料的交互和界面效应,腐蚀相关缺陷基民盟/ LCDU,边缘和表面粗糙度等。

本文将首先描述的挑战在L / S随机缺陷的检测模式,并制定替代策略理解随机产生限制,举例分析通过比较不同的抗拒。我们将关注的方法评估堆栈贡献non-stochastic defectivity我们探索新的材料和调节蚀刻工艺,以及给几个例子的过程改进的缓解。我们将与基督教民主联盟的讨论确定控制,和它的重要性最小化的随机缺陷。

方法
四堆栈配置用于大部分的L / S模式本出版物中描述,包含自旋对碳衬层40 - 100 nm的范围,一个无机hardmask厚度< 10 nm,粘附层调解抵制和hardmask之间的相互作用(5-10nm)和EUV抵制30-45nm之间的厚度。模式用于常规实验6和7节trilayer抵制范式,与SiARC < 25纳米厚度的层。评估与L / S进行音高特征之间30 nm和36海里,有图案的使用一个NXE3300B EUV扫描仪,和开发0.26 n TMAH溶液。联系/洞模式描述在第六节通过大小低于30 nm。硬件设计和过程优化改善defectivity和基督教民主联盟,包括新的分配系统、冲洗和开发流程的最后两个部分中描述的纸和引用。自上而下的图像和CD计量使用VeritySEM完成5我从进一步发展工具。电气特性进行L / S BEOL结构从50嗯1厘米长。

除了图案曝光,蜿蜒,开放式敞口进行获得对比曲线不同的抵抗材料使用Aleris工具(KLA-Tencor)估计开发对于一个给定的剂量后剩余的厚度。

缺陷的检验晶片实现了使用宽带等离子体2915工具和一个eDR7110电子束缺陷评估工具,从KLA-Tencor。After-develop检查也表现了一个eP3 ebeam检查工具从人机界面的一个子集实验中,为了比较敏感,使用这两种技术感兴趣的缺陷。除非另有规定,抵制涂上一层薄薄的,保形无机膜ebeam之前检查装修微桥缺陷和提高检测如下所述。

评估在电影defectivity不同覆盖模式堆栈进行涂层或沉积后的每一层,以及在一个特定的时间腐蚀,使用激光(从KLA-Tencor Surfscan SP3)和BBP检查。每一步,晶片掉了SEM对随机缺陷样本(100 /晶圆)获得缺陷层的帕累托,同时防止SEM梁的损伤改变下游缺陷检测。这种方法可以帮助跟踪缺陷通过缺陷来源分析的来源。

随机缺陷的检测岗位发展
理解的第一步调节随机defectivity有定量技术测量感兴趣的缺陷。分区在多个检验点需要理解文章处理步骤,可以缓解或加剧最佳相关电气测量的缺陷。然而,deconvolve腐蚀检测后发展的缺陷是关键,为更好地理解变化EUV光刻贡献堆栈的材料。

作为潜在yield-detractor缺陷继续与每个节点,减少尺寸检验灵敏度越来越受到挑战,尤其是职位发展。检测灵敏度的光学检验岗位发展往往是有限的,因为光阻和低折射率电介质,散射光,因此容易有小缺陷的低信号。⁶另一方面,SEM-based缺陷检测技术可以受到当地收费成像像光阻绝缘膜时,常常导致图像失真和恶化的决议。这些限制是显示在图2中,我们展示了规范化dose-modulated缺陷密度,30 nm音高L / S的晶片检查的光学检测系统能够扫描的晶片波长260 - 450纳米之间。轻微增加OP defectivity可以观察到随着以便决定空间的增加,但没有迹象表明MBs在整个以便探测范围。电子束检查类似调制晶片显示了两到三倍OP缺陷数的最大空间DCD计划对光学检查,和一些MB检测增加逐渐狭窄战壕。相比,电子测试测量(图2 b)演示不仅shorts-limited产量大空间,DCD计划对应OP缺陷发展与电子束检测检验,而且open-limited收益率在最小的空间,DCD计划应该对应MBs与极低的捕获率检测到相同的技术。

图2。(a)检测灵敏度的比较光学和电子束检验(l > 260海里)(无涂层)的随机故障30 nm音高l / S模式作为方法的函数空间(剂量条纹圆片)。开放的红圈对应OP缺陷捕获与光学检测(无MBs捕获)。电子束检查导致显著增加OP捕获率和一些MB缺陷的检测。(b)电气测量相应的晶片显示同时short-limited产量大空间由于换行,DCD计划和open-limited产量由于MB在小DCD计划的空间。数据表明检查技术和电气测量之间的差距。

之间的差距后开发检验读出检查技术和电气测试需要解决推进减少随机故障的解决方案。我们已经开发出的一种策略是涂层薄的抵制,保形,无机膜。这部电影都是保形装饰MB缺陷改善他们的检测,以及减少在电子束表面充电检查以防止图像退化。图3展示了改进MB dose-modulated晶片的检测灵敏度,大于30倍增加在MB缺陷计数是观察到的最小的空间DCD计划对一个裸晶片。裸代表SEM MB缺陷图像检测和涂覆晶片在后者条件也证明模糊强度下降。涂层部分妥协的捕获率换行符(~ 0.5倍OP缺陷数的最大空间探测DCD计划)由于屏蔽或线切口的愈合薄膜沉积(图3 b)。尽管如此,如果发现OP敏感性在涂布条件不够,部分检验晶片之前涂层可以执行目标OP缺陷检测。

图3。改善MB检测后开发获得的涂层抵制与电子束进行保形无机膜和检查。(a) MB捕获率和涂层之间的比较裸30 nm音高L / S的晶片作为方法的函数空间(剂量条纹)展示一个显著增加MB检测。插图显示相应的扫描电镜图像MB的条件。(b) OP捕获率略有降低的晶片由于部分屏蔽涂料级逐沉积膜。

使用薄膜缺陷装饰MB检测后实施的发展使得我们预测的下游影响光刻条件的变化。这是体现在图4中,我们比较OP和MB缺陷密度30 nm的音高L / S的晶片与两种不同的抵抗厚度的函数空间DCD计划尝试坚持改变位置和调制缺陷过程的窗口。电子束检验岗位发展表明,缺陷密度最低是13.5 nm左右14 nm DCD计划的空间(图4 a和b)。因此,我们看到一个转变的位置以来厚膜晶片内的最小接触条件不适应中心电影DCD计划的目标。检验也表明OP缺陷计数减少抗拒厚度增加时,符合我们的预期。检查复制晶片腐蚀后,具备良好的协议开发电子束数据(图4 c和d)。

图4。示范的实施过程窗口描述职位发展通过电子束扫描前检查涂层晶片。(a)和(b)的比较电子束检查30 nm音高L / S的晶圆的函数空间DCD计划(剂量条纹)两个抵制厚度显示最低的位置的转变在晶片(相同的曝光条件)和减少OP厚膜的缺陷密度。图表(c)和(d)包含光学检验结果复制晶圆扫描后腐蚀。(e)和(f)相应的电气测量具备良好的检查技术和电子数据之间的协议。

电气试验进一步证实了厚膜的转变过程窗口位置,以及总收率略有改善,但由于抑制短裤(图4 e和f)。然而,电加工中心的窗户都条件略转向低风险的缺陷过程窗口预测通过检查。这可能是由于低估的换行符在检验点。在前面的部分中,我们将讨论如何使用的涂料,使MB检测可以部分妥协换行的捕获率。这可以通过执行检查没有涂层目标OP的缺陷。最近的数据使用ebeam检查站腐蚀也显示出更高的捕获率OP缺陷对光学检验,给一个路径相关性检验和改善电评估。

重要的是要强调我们的整个过程改进的主要指标是腐蚀后检查,大大改善了的缺陷信号从我们的锡图案hardmask检查时一个光学系统,以及减少充电和破坏电子束检验这一层,允许更激进的成像条件。此外,在这项研究中使用的无机涂料是破坏性的,防止进一步处理晶片的更好的理解通过腐蚀缺陷转移和电气测试。然而,使开发后检查的价值是在允许快速上游缺陷特征的光刻的抵制和堆栈材料筛选,以及过程窗口中心没有卷积与腐蚀的贡献。⁷

最终,检验工具的可用性和必要的检测灵敏度随机缺陷在起作用将是必要的,以确保缺陷级别符合大量生产过程。电磁模拟由KLA-Tencor理解缺陷检测能力和信号强度的13海里全高度突出缺陷36海里球场上L / S模式与18海里线平作为波长的函数和成像模式。在这种情况下,抵制/ SiARC OPL trilayer堆栈上罪被用来设置3 d Coventor模型。wavelength-based分析如图5所示演示了一个大幅增加信号强度在短的波长(低于230海里)。额外的工作,以更好地了解感兴趣的缺陷的检测灵敏度是目前进行晶圆用39 xx KLA-Tencor系统,允许在波长230纳米以下光学检查。

图5。模拟信号强度从13海里突出缺陷36海里L / S模式(18海里线)后发展,假设一个EUV PTD-CAR抵抗/ SiARC OPL trilayer堆栈上的罪。曲线代表两个检查光阑的数据最好的灵敏度。短的波长的电磁仿真表明改进的信号强度。

理解抗拒解散微桥DEFECTIVITY的贡献
多利息支付给溶解度的因素导致噪音开关和发展抵抗矩阵的性质及其作用在微桥defectivity。⁵

纳米级粗糙度在抗拒解散的发展一直得到广泛的研究在过去的20年中,希望获得一个概要文件和直线边缘粗糙度对比调制的基本理解。^{8 - 10}粗糙度的分子基础已经被应用临界电离探测模型拒绝解散。该模型准确预测粗糙度之间的关系和剂量,从而导致低抵抗表面粗糙度低剂量(或阻塞度高),通过最大然后再降低在高剂量的程度去增加。⁸这显然是见实验数据从戈德法布和库马尔¹¹的EUV CA抵制一个HMDS-primed硅衬底复制在图6所示。AFM粗糙度测量显示预期的峰值在粗糙度剂量的剂量曲流晶圆的函数。它还展示了抵制高度不均匀的方式发展巨大而持久的总量(~ 20 nm高度)。作者建议使用的极薄的抵制电影EUV栈可能导致衬底附近的聚合物链的约束,导致偏离大部分属性。

图6。剂量依赖性的表面形貌(AFM)(11)的数据参考。对比曲线晶圆有一个商业EUV NXE3300B汽车抵抗暴露与EUV扫描器。图像显示残余抵抗发展高度不均匀的方式显示持续在高剂量大骨料。

轻水反应堆的关系/ LCDU和微桥defectivity也开始检查。^1,1、5已经表明,虽然有一定程度的相关性轻水反应堆和微桥失败,轻水反应堆不是一个好的预测MB缺陷数随着前一个常数值参数浸透,MBs的现象,没有看到。⁵

在这种情况下,我们研究了溶解性能和微桥defectivity三拒绝共享相同的平台,但不同基地冷却器载荷(表1),图7显示了剂量的对比曲线蜿蜒开放式曝光抵制的影射硅衬底(HMDS)。预期的减少与增加photospeed基地弄熄的金额。然而,增加基础是抵制观测,表明剩余材料剩余清算剂量。相同的三个抗拒涂布有机衬层和暴露剂量条纹,形成L / S 30 nm的特点。职位发展检验了薄膜沉积(图7 b)显示最低的抵制劣质微桥性能dose-to-size(抵制),这一趋势在其他地方也被报道。⁵然而,没观察到不同程度的defectivity抵制B和C,尽管后者的增加淬火加载,表明微桥不能完全解决photospeed放缓。

表1。弄熄的加载和敏感性的比较三PTD-CAR抵制分享相同的平台

抵制	归一化淬火加载	灵敏度(mJ /厘米2)
抵制	1	42
抵制B	1.3	50
抵制C	1.7	57

我们进一步探索每个抵制通过解散的尺度检查上述剂量曲流晶片的总数量。总数量和剂量之间的关系还显示了一个最大的缺陷数,然后降低接近清算剂量(图7)。有趣的是,抵制显示了一个更广泛的不均匀溶蚀窗口比慢拒绝(拒绝B和C),这两个演示一个聚合分布较相似的宽度和高度。重要的是要指出,低水平的总量持续甚至超出了清算所有抵抗的剂量。正在开展进一步的调查以了解如果这些确实是相关的非均质微桥defectivity趋势观察。

图7。(a)对比表1中曲线的三个拒绝显示预期的减少与基地photospeed冷却器负荷增加。(b) MB缺陷密度测量后开发与电子束检验(涂层)30 nm音高L / S的空间模式和绘制功能三个抗拒。抵制最低的剂量(一个)显示MB性能下降,但没有抗拒B和c之间的区别是见过插图显示了对数图展示整个DCD计划的范围研究趋势观察是一致的(c)总数量与规范化剂量依赖性表明更广泛的不均匀性政权最快抵抗(A),而类似的分布是抵制B和c这三个抵制节目持续总量超出清除剂。

总的来说,这些实验强调更好的低估如何调节随机defectivity需要改进的方法,允许检测感兴趣的缺陷发展快速筛选之后,在前一节中列出的纸张,但也可能受益于交替的方法帮助我们理解的作用和非均质substrate-resist defectivity交互。

NON-STOCHASTIC DEFECTIVITY评估通过调制过程
当我们探索模式参数调节随机defectivity的空间,被测试的新工艺和材料可以影响non-stochastic defectivity可能最终影响产量。是理想的评估堆栈中的每个材料的缺陷的贡献通过调节过程。

在之前的出版物,¹²我们描述了选择和优化EUV模式hardmask材料候选人通过一个综合炉料defectivity毯子电影的评价在堆栈能捕捉有害的物质相互作用和过程异常。我们扩大这个概念通过考虑腐蚀的影响过程用于模式堆栈defectivity毯子电影。这是通过执行一层毯子检查EUV堆栈其次是不同的蚀刻的电影被测试。在电影defectivity将通过腐蚀发展取决于缺陷和可能的化学蚀刻掉完全有足够的腐蚀,给我们一个窗口过程的持久性缺陷。因此,这个窗口将给我们一个更好的主意在电影的贡献defectivity当我们调节过程抑制随机缺陷。

图8所示的方法的一个例子,我们情节在电影defectivity有机粘合层的涂层的hardmask材料我们的候选人栈作为腐蚀时间的函数。缺陷源分析使我们能够隔离缺陷的粘附层通过腐蚀和跟踪它们。规范化最初缺陷计数增加随着腐蚀时间,然后减少我们腐蚀掉大部分的缺陷。最初defectivity增加可能是因为嵌入式缺陷的发现这部电影是蚀刻(图8 b)。

图8。腐蚀缺陷的工艺窗口粘附层的EUV堆栈(毯子defectivity)。(一)情节展示了一个初始缺陷数的增加与腐蚀时间在电影defectivity透露,其次是减少缺陷是缩小与腐蚀。这个过程是(b)所示。

定性可以获得相似的结果从一个SiARC hardmask层涂布在OPL(图9)。然而,对于SiARC调制通过腐蚀更重要的是,扩大好几个数量级。类似的实验进行上一层薄的aSi hardmask OPL(图9 b)。这部电影的部分腐蚀,其中包含一个预处理步骤,揭示了小孔的存在没有检测到毯子电影之前腐蚀。检查一个etch-only控制晶片没有预处理揭示针孔缺陷,而控制晶片与预处理只显示了一个针孔数显著增加。我们建议扩大针孔缺陷的预处理步骤能够出现在aSi电影,允许这种具有挑战性的缺陷清单。使用腐蚀策略检测小孔EUV堆栈电影需要成为一个常规实践自电影作为hardmask和粘合衬层变薄到维度,针孔形成更有可能发生。

图9。(一)蚀刻过程窗口在电影SiARC层缺陷OPL层之上,显示重要的调制通过腐蚀缺陷数。(b)的局部腐蚀(预处理步骤)的aSi薄膜OPL hardmask允许检测小孔。在etch-only控制检测到没有针孔,descum-only控制显示大量的气孔,表明预处理步骤是扩大现有缺陷通过蚀刻OPL层。

过程改进的缓解DEFECTIVITY NON-STOCHASTIC电影
后定义策略,揭示电影如何defectivity将通过腐蚀发展调制,下一步是要了解缺陷会影响图案的晶片和寻找策略来减轻。在过去的几年中我们一直致力于系统的改进涂层的硬件和流程优化打击defectivity EUV层。^{12 - 14}下面两个例子讨论了我们的继续努力。

在第一个示例中,我们测试了一个新的分发系统(NDS)旨在减轻嵌入式defectivity EUV电影。应用NDS OPL和SiARC层用于36纳米沥青L / S模式内容,和比我们目前的分配系统。后开发检验两个条件之间无显著差别,这是常有的事,小缺陷嵌入石印电影(没有显示)。然而,在腐蚀检查显示缺陷总数减少37%在使用,如图10所示。缺陷帕累托图10 b所示表明改善来自减少嵌入式缺陷,如预期,表明NDS处理晶片的主要缺陷是MBs。数据说明的重要性提高基线defectivity能够把重点放在缓解随机缺陷。它还强调了需要依靠增加在光刻缺陷的检测腐蚀检查之后,第三节中讨论。这将变得越来越真实的潜在收益的大小批评者持续萎缩的相对比例。

图10。从36海里(a)归一化后腐蚀defectivity L / S的晶片,比较我们当前的使用分配系统OPL NDS和SiARC层。显著减少defectivity使用NDS时观察到。(b)比较缺陷帕累托的两个条件,证明改进defectivity性能的降低嵌入式相关的缺陷。

在第二个例子中我们观察优化改善流程相关defectivity冲洗过程。EUV抗拒接触角已被证明有一个高于浸抵制,甚至职位发展。¹⁵他们增加疏水性很难减少剩余水滴的冲洗和dry-spin过程,导致残留的缺陷。我们测试两个优化冲洗接触孔模式,相比我们现在的冲洗过程发展后检查。结果显示总缺陷数减少了90%的优化流程(图11)由于减少残渣和stain-like缺陷,如图11所示的b。

图11。(a)缺陷减少接触孔上观察到的模式使用开发人员清洗流程优化以提高疏水性的EUV抗拒。(b)的代表图像残留缺陷减轻与优化的冲洗。

基督教民主联盟控制过程稳定
全球基督教民主联盟需要改进我们走向一个EUVL制造阶段。随机defectivity CD控制带来了额外的压力,因为正如前面所讨论的那样,小CD的变化会导致显著增加随机故障,尤其是当我们推动小CD。开发流程的优化是实现更好的基督教民主联盟控制的关键。

图12 a和b显示CD概要文件在晶片密集的L / S和iso沟模式,分别为我们当前的开发过程。系统的签名在全球基督教民主联盟是使用这个过程,观察到在晶圆的中心附近的CD显著减少。相反的iso沟剖面。我们评估两种不同的优化方案的开发过程中,这两个显示更多的常数剖面在晶片,最好的过程显示一个下降84%在晶片CD范围对于密集的L / S模式,并降低54% iso沟模式(图13)。同样,3-sigma基民盟在晶片值,计算相对于目标的CD,当前开发过程从3.5%降低到2.7%的优化开发过程密集的L / S模式(图13)。这些类型的基督教民主联盟的改进将EUV可制造性的关键。

图12。比较的CD配置文件使用我们目前的开发过程和优化流程(a)密集的L / S模式,(b) Iso沟模式。

图13。(a)改善CD范围在晶片茂密的L / S模式和Iso沟模式使用优化开发流程。(b)类似的改善3-sigma基民盟值显示在晶片茂密的L / S模式。

总结
随机defectivity将的一个关键挑战去克服,我们期待一个2所示^nd节点的single-expose EUV模式。减轻随机缺陷需要在线技术能够检测这些批评者职位发展。在本文中,我们讨论了随机缺陷的检测技术和策略在浓密的L / S模式发展。模拟工作也作为起点进行理解如果先进的光学检测系统能检测更短的波长将改进随机缺陷的检测。进一步研究正在评估这个工具在晶片的检测功能。

检验策略发展使探索抵抗属性能够提高MB的性能。我们的研究结果表明,微桥不能完全解决photospeed放缓,并建议一个可能链接到解散在抵制非均质发展需要进一步探索。

此外,我们提出一个方法来评估在电影材料贡献non-stochastic defectivity,及其调制通过腐蚀,当我们探索新的材料EUV堆栈。然后我们具体的例子描述的硬件和流程优化可以抑制在电影和过程defectivity重要EUVL工艺性。最后,我们还描述了一个优化的开发流程,允许更好的基督教民主联盟的控制,需要满足全球基督教民主联盟的目标,减少随机defectivity。

确认
这项工作是由各种IBM研究联盟团队研究设施。作者要感谢达里奥戈德法布,佩吉·劳森,丹·威廉姆森,玛莎桑切斯,吉纳维芙Beique,阿花Truong实验支持和有益的讨论。

作者:她曾梅丽莎¹凯伦Petrillo¹Anuja De Silva¹约翰•阿诺德¹纳尔逊费利克斯¹,克里斯罗宾逊¹本杰明布里格斯¹,董事长Matham¹,Yann等¹,杰弗里·希勒¹Bassem Hamieh¹
Koichi Hontake²利奥尔湖里²,科里Lemley²,戴夫追猎者²刘,埃里克²,Ko Akiteru²
Shinichiro川上³,Shimoaoki武³,Yusaku桥本³,藤原浩一宫³,作者凯³田中一郎³
Ankit耆那教徒的⁴,Heungsoo崔⁴,巴里·萨维尔⁴,切特雷诺克斯^4
1IBM半导体研究、富勒路257、3100套房,12203年美国奥尔巴尼纽约
²东京电子有限公司,技术中心,美国LLC富勒路255号,214套房,12203年美国奥尔巴尼纽约
³东京电子九州有限,福原爱今年1 - 1,,熊本,日本,861 - 1116
⁴奥尔巴尼KLA-Tencor纳米技术,富勒路257号,12203年美国奥尔巴尼纽约

最初发表在有先进光刻。她曾梅利莎et al,”缺陷检测策略和过程划分为SE EUV模式,“Proc.相比卷。10583年105830 e-17 (2018)。

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