EUV通过模式抵制厚度均匀性的影响


通过模式先进节点需要极低的临界尺寸(CD)值,通常低于30 nm。控制这些维度是一个严重的挑战,因为有很多内在的变异来源在光刻和蚀刻加工。Coventor人员,与我们的同事从ASML和imec最近看着极端紫外线光刻技术(欧盟的影响……»阅读更多

缺陷检测策略和过程划分为SE EUV模式


文摘第二节点的实现的关键挑战single-expose EUV模式理解和减轻patterning-related缺陷窄窗口过程。典型的在线检测技术,如宽带等离子体(291 x)和电子束系统,难以检测的主要yield-detracting post-develop缺陷,从而理解过程的影响……»阅读更多

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