标签:基督教民主联盟

金属氧化物抵制DRAM(铁道部)EUV光刻过程的应用程序
通过电话- 10月19日,2022 -评论:0

本文报告准备的关键EUV抵抗过程技术使用金属氧化物抵制(铁道部)DRAM的目标应用程序。铁道部,减少金属污染和CD一致性(CDU)是关键性能需求预期有关接触后烤(PEB)。基于多年的经验与自旋对类型Inpria铁道部,我们设计了一个新的钢炉实现污染……»阅读更多

光刻的化学工作:Marangoni-Effect-Based单层增强整平
通过布鲁尔科学11月17日,2021 -评论:0

在半导体制造领域,仍有持续的搜索技术来提高临界尺寸均匀性(CDU)晶片。基民盟改善和减少一般有缺陷增加工业产量和保证高可靠性标准。在KrF Dual-Damascene模块集成,在光刻层面,深沟整平是强制性的……»阅读更多

比较随机过程变异N7乐队,它们和N3 EUV
通过心理契约- 2月21日,2019 -评论:0

由亚历山德罗Vaglio Preta Trey Gravesa,大卫•Blankenshipa昆仑Baib,斯图尔特Robertsona,彼得•德Bisschopc约翰j . Biaforea) KLA-Tencor公司,奥斯汀,TX 78759年美国b) KLA-Tencor公司苗必达,CA 95035年美国c) IMEC, Kapeldreef 75年,3000年,是抽象的推测学影响的终极限制器光学光刻技术和主要关心n…»阅读更多

缺陷检测策略和过程划分为SE EUV模式
通过IBM——2019年1月24日——评论:1

文摘第二节点的实现的关键挑战single-expose EUV模式理解和减轻patterning-related缺陷窄窗口过程。典型的在线检测技术,如宽带等离子体(291 x)和电子束系统,难以检测的主要yield-detracting post-develop缺陷,从而理解过程的影响……»阅读更多

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