在开发高na EUV光刻基础设施所需的制模工艺、计量和掩模方面取得的进展
“在2025年期间,我们预计将看到首款高na极紫外(EUV)光刻设备在大批量制造环境中推出。
这些下一代光刻系统将是推动摩尔定律向逻辑2nm技术发展的关键。
在本文中,参与准备这一重大工程项目的imec科学家和工程师(与ASML合作)讨论了挑战和机遇。他们强调了在开发高na EUV光刻基础设施所需的制模工艺、计量和掩模方面取得的最新见解和进展。”
找到技术文件链接.
评论*
的名字*(注:此名称将公开显示)
电子邮件*(不会公开展示)
Δ
为什么为即插即用芯片开发多厂商标准如此困难?
127家创业公司融资26亿美元;数据中心连接、量子计算和电池吸引了大量资金。
美国贸易管制即将产生影响,阿斯麦考虑并购,索尼投资泰国,加拿大打击中国,美国铟矿床
在不同的设计、不同的用例中,热不匹配会影响从加速老化到翘曲和系统故障的一切。
异质集成的好处是众所周知的,但是实现它并不容易。
EDA社区如何准备应对即将到来的挑战尚不清楚。
先进的蚀刻技术是纳米片fet的关键未来节点的演化路径。
从特定的设计团队技能,到组织和经济影响,向定制硅的转变正在改变一切。
近50家公司超过5000亿美元新投资的细节;扩张热潮的背后是什么,为什么是现在,以及未来的挑战。
新的存储方法和CMOS扩展的挑战指向半导体设计的根本变化和潜在的巨大改进。
EDA行业是否即将出现重大颠覆,并伴随着领域特定架构的新兴时代?学术界当然是这么认为的。
内存层次结构中的变化是稳定的,但是访问内存的方式和位置会产生很大的影响。
完全自动驾驶汽车将需要能够边驾驶边学习的人工智能。
留下回复