High-NA EUVL:光刻技术的下一个主要步骤


“在2025年,我们期望看到的第一个high-NA极端紫外线(EUV)光刻设备大批量制造环境。这些下一代光刻系统将是关键,推进贸易和投资自由化便利化摩尔定律的逻辑2纳米技术生成和超越。在这篇文章中,imec科学家和工程师参与准备这个主要引擎…»阅读更多

比较随机过程变异N7乐队,它们和N3 EUV


由亚历山德罗Vaglio Preta Trey Gravesa,大卫•Blankenshipa昆仑Baib,斯图尔特Robertsona,彼得•德Bisschopc约翰j . Biaforea) KLA-Tencor公司,奥斯汀,TX 78759年美国b) KLA-Tencor公司苗必达,CA 95035年美国c) IMEC, Kapeldreef 75年,3000年,是抽象的推测学影响的终极限制器光学光刻技术和主要关心n…»阅读更多

先进光刻:摩尔定律继续


每2月,nano的专家模式技术的融合在圣何塞,展示他们的路线图,头脑风暴和结果有先进光刻技术研讨会。有比以往更多的困惑,今年部分会议的结果标记(但美丽的)新会展中心的舞厅,但主要是由于行业差异。这不再是一个年代……»阅读更多

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