全面优化CD变异和减少缺陷,提高多种缺陷的结果过程窗口CD分布窄。
这项研究集中在缺陷行为分析通过穿孔模式使用CD变体EUV光刻过程和腐蚀传输性能。而缺陷要求不那么严格的存储设备,逻辑器件必须没有缺陷。目前,来自过程或材料缺陷只能检测到自上而下的检查方法,但是,它是很难发现杀手不完全打开洞等缺陷类型。开发5 nm逻辑节点,一个洞模式15 nm或更小。识别失败的底部的洞变得更具挑战性。然而,过程窗口边缘的剂量/重点不是完全探索发现缺陷发生趋势。到目前为止,有报道分析模式和音高的扩展。在本文中,我们审查的幅度量化过程不仅通过曝光宽容度和景深,还全面无缺陷过程窗口。在我们之前的研究中,missing-hole类型缺陷的行为检查和健壮的缺陷抑制结果介绍了利用新开发的蚀刻配方。在这项研究中,我们综合优化的CD变异和减少缺陷,介绍成功的改善结果的多种缺陷过程窗口CD分布窄。
作者:Satoru志孝宏Shiozawa Arisa Hara,东京九州电子有限公司(日本)。Hidetami八重樫饰东京一边电子有限公司(日本)。
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